Вестник НовГУ

Вестник НовГУ > 2011 > №65 > Удальцов В.Е., Желаннов А.В., Титова А.А., Панов Н.А. Ультрафиолетовый излучающий диод

Удальцов В.Е., Желаннов А.В., Титова А.А., Панов Н.А. Ультрафиолетовый излучающий диод

УДК 621.382.2
У д а л ь ц о в В. Е., Ж е л а н н о в А. В., Т и т о в а А. А., П а н о в Н. А. Ультрафиолетовый излучающий диод // Вестн. Новг. гос. ун-та. Сер.: Технические науки. 2011. №65. С.38-40.
Разработан ультрафиолетовый излучающий диод на основе двойной гетероэпитаксиальной структуры из нитрида галлия, выращенной методом HVPE эпитаксии на сапфировой подложке. Кристалл диода размером 1×1×0,08 мм установлен в металлическом корпусе диаметром 20 мм. Исследованы его основные электрические и светотехнические параметры.
Библиогр. 3 назв. Ил. 4.

Загрузить (509 КБ)