Вестник НовГУ

Вестник НовГУ > 2017 > 6 (104) > Воропаев К.О., Селезнев Б.И., Ионов А.С., Петров А.В. Омические контакты для вертикально-излучающих лазеров с внутрирезонаторными контактами на основе гетероэпитаксиальных структур арсенида галлия

Воропаев К.О., Селезнев Б.И., Ионов А.С., Петров А.В. Омические контакты для вертикально-излучающих лазеров с внутрирезонаторными контактами на основе гетероэпитаксиальных структур арсенида галлия

УДК 621.373.8
В о р о п а е в К. О., С е л е з н е в Б. И., И о н о в А. С., П е т р о в А. В. Омические контакты для вертикально-излучающих лазеров с внутрирезонаторными контактами на основе гетероэпитаксиальных структур арсенида галлия // Вестн. Новг. гос. ун-та. Сер.: Технические науки. 2017. № 6 (104). С.13–16. Библиогр. 5 назв.

К л ю ч е в ы е с л о в а: вертикально-излучающие лазеры, наногетероструктуры арсенида галлия, омические контакты, диффузионный барьер, удельное сопротивление, профилометрия, силовая электронная микроскопия

Рассмотрена технология формирования омических контактов к структурам вертикально-излучающих лазерных диодов (ВИЛ) с внутрирезонаторными контактами, содержащих контактные слои GaAs p- и n-типа толщиной 50 нм. При разработке технологии формирования омических контактов для ВИЛ были проведены эксперименты по подбору состава металлизации и режимов последующего формирования металлизированного рисунка. Проведен сравнительный анализ диффузионных барьеров на основе Ni и Mo. После напыления металлических пленок проводился быстрый термический отжиг полученных систем в атмосфере азота. Исследованы характеристики омических контактов: внешний вид, морфология поверхности контактов, удельное сопротивление. Методом силовой электронной микроскопии проведена оценка глубины диффузии металлов в полупроводниках после отжига при формировании омического контакта к GaAs n-типа.
-----------------------------------------------------------------------------
UDC 621.373.8
V o r o p a e v K. O., S e l e z n e v B. I., I o n o v A. S., P e t r o v A. V. The ohmic contacts for vertical cavity surface emitting lasers based on heteroepitaxial structure of GaAs with intracavity contact layers // Vestnik NovSU. Issue: Engineering Sciences. 2017. № 6 (104). P.13–16. The reference list 5 items.

K e y w o r d s: vertical cavity surface emitting laser, heteronanostructure of GaAs, ohmic contact, diffusion barrier, resistivity, profilometry, electric force microscopy

This paper presents the research of technology of forming ohmic contacts for nanoheterostructures of vertical cavity surface emitting lasers (VCSEL). This multilayer structure is comprised of the following layers: distributed Bragg reflector of Ga1-xAlxAs, aperture layer, contact layers of n- and p-type GaAs, active layer and substrate of GaAs. Metallisation was formed by lift-off photolithography and thermal vacuum deposition. The authors researched ohmic contacts based on metallic layers: Ti-Pt-Au for p-type, AuGe/Mo(Ni)/Au for n-type. They also compared the efficiency of diffusion barriers based on metallic layers of Mo and Ni and analyzed a few parameters of ohmic contacts: electrical resistivity, morphology, appearance, and diffusion depth in semiconductors.

Загрузить (2076 КБ)