Вестник НовГУ

Вестник НовГУ > 2017 > 6 (104) > Желаннов А.В., Селезнев Б.И., Федоров Д.Г. Технологические особенности формирования структур диодов Шоттки на нитриде галлия

Желаннов А.В., Селезнев Б.И., Федоров Д.Г. Технологические особенности формирования структур диодов Шоттки на нитриде галлия

УДК 621.382.2
Ж е л а н н о в А. В., С е л е з н е в Б. И., Ф е д о р о в Д. Г. Технологические особенности формирования структур диодов Шоттки на нитриде галлия // Вестн. Новг. гос. ун-та. Сер.: Технические науки. 2017. № 6 (104). С.24–27. Библиогр. 5 назв.

К л ю ч е в ы е с л о в а: нитрид галлия, диод Шоттки, реактивно-ионное травление, ионная имплантация, омический контакт, быстрый термический отжиг

Рассмотрены технологические особенности формирования диодных структур на основе GaN. Проведено исследование ионно-легированных слоев GaN методами Холла, атомно-силовой микроскопии, вторичной ионной масс-спектрометрии, определены условия формирования ионно-легированных слоев GaN с высокой степенью активации Si+. Приведен краткий технологический цикл изготовления диодных структур с описанием основных операций.
-----------------------------------------------------------------------------
UDC 621.382.2
Z h e l a n n o v A. V., S e l e z n e v B. I., F e d o r o v D. G. Technological peculiarities for forming the structures of Schottky diodes on GaN // Vestnik NovSU. Issue: Engineering Sciences. 2017. № 6 (104). P.24–27. The reference list 5 items.

K e y w o r d s: gallium nitride, Schottky diode, reactive ion etching, ion implantation, ohmic contact, rapid thermal annealing

Technological features of the formation of diode structures based on GaN are considered. The investigation of ion-doped GaN layers by AFM, SIMS, and Hall methods was carried out, and conditions for the formation of ion-doped GaN layers with a high degree of Si+ activation were determined. A brief technological cycle for fabricating diode structures with a description of the basic operations is given.

Загрузить (513 КБ)