Вестник НовГУ

Вестник НовГУ > 2017 > 7 (105) > Гаврушко В.В., Ласткин В.А., Мохова Т.А. Кремниевые ДМДП-транзисторы с изолированным затвором и индуцированным р-каналом

Гаврушко В.В., Ласткин В.А., Мохова Т.А. Кремниевые ДМДП-транзисторы с изолированным затвором и индуцированным р-каналом

УДК 621.382.323
Г а в р у ш к о В. В., Л а с т к и н В. А., М о х о в а Т. А. Кремниевые ДМДП-транзисторы с изолированным затвором и индуцированным р-каналом // Вестн. Новг. гос. ун-та. Сер.: Технические науки. 2017. № 7 (105). С.9–11. Библиогр. 5 назв.

К л ю ч е в ы е с л о в а: ДМДП-транзистор, индуцированный канал, подзатворный диэлектрик, ток стока, напряжение лавинного пробоя

Рассмотрено влияние на параметры приборов технологии изготовления мощных кремниевых ДМДП-транзисторов с изолированным затвором и индуцированным p-каналом. Исследована зависимость тока стока от толщины подзатворного диэлектрика для подложек с удельным сопротивлением 1,5, 3 и 4,5 Ом·см. Установлено, что с уменьшением толщины подзатворного диэлектрика от 150 нм до 90нм величина тока стока транзисторов не зависела от удельного сопротивления подложек. Для меньших толщин проявлялось положительное влияние подложек с низким удельным сопротивлением. С уменьшением толщины подзатворного диэлектрика в пять раз от 150 нм до 30 нм величина тока стока для разных эпитаксиальных структур возросла в 3,5-4,5 раза. Максимальные значения тока стока при Uзи = -10 В, Uси = -10 В достигали 9 А. Напряжение лавинного пробоя транзисторов зависело от удельного сопротивления и находилось в пределах от 125 до 64 В.
-----------------------------------------------------------------------------
UDC 621.382.323
G a v r u s h k o V. V., L a s t k i n V. A., M o k h o v a Т. A. Induced P-channel switching power isolated gate DMOSFET // Vestnik NovSU. Issue: Engineering Sciences. 2017. № 7 (105). P.9–11. The reference list 5 items.

K e y w o r d s: DMOSFET, induced channel, gate insulator, drain current, avalanche breakdown voltage

This article considers the effect of manufacturing technology for powerful silicon DMOSFETs with an isolated gate and induced pchannel on the parameters of devices. The dependence of the drain current on the thickness of the gate dielectric for substrates with the resistivity of 4.5, 3 and 1.5 Ohm • cm is investigated. It was found that with a decrease in the thickness of the gate insulator from 150 nm to 90 nm, the value of drain current of the transistors did not depend on the resistivity of the substrates. For smaller thicknesses, a positive effect of substrates with a low specific resistance was observed. With a decrease in the thickness of the gate insulator five times from 150 nm to 30 nm, the drain current for different epitaxial structures increased 3.5-4.5 times. The maximum drain current at Ui = 10 V, Uc = 10 V reached 9 A. The voltage of avalanche breakdown of transistors depended on the resistivity and was in the range from 125 to 64 V.

Загрузить (528 КБ)