Вестник НовГУ

Вестник НовГУ > 2017 > 7 (105) > Савченко Л.А., Петров М.Н. Нанопрофилирование резистной маски при создании Т-образного затвора СВЧ ПТШ

Савченко Л.А., Петров М.Н. Нанопрофилирование резистной маски при создании Т-образного затвора СВЧ ПТШ

УДК 621.382.323: 537.533.9
С а в ч е н к о Л. А., П е т р о в М. Н. Нанопрофилирование резистной маски при создании Т-образного затвора СВЧ ПТШ // Вестн. Новг. гос. ун-та. Сер.: Технические науки. 2017. № 7 (105). С.31–36. Библиогр. 8 назв.

К л ю ч е в ы е с л о в а: СВЧ полевые транзисторы, полевые транзисторы с барьером Шоттки, затвор транзистора, электронно-лучевая литография

Рассматриваются проблемы технологии изготовления СВЧ полевых транзисторов с барьером Шоттки. В процессе работы были подобраны оптимальные режимы электронно-лучевой литографии, позволяющие сформировать Т-образные затворы на базе трехслойной системы резистов. Полученные экспериментальные данные позволяют расширять линейку выпускаемых транзисторов на область более высоких частот.
-----------------------------------------------------------------------------
UDC 621.382.323: 537.533.9
S a v c h e n k o L. A., P e t r o v M. N. Nanoprofiling the resist mask at microwave MESFET’s T-gate fabrication // Vestnik NovSU. Issue: Engineering Sciences. 2017. № 7 (105). P.31–36. The reference list 8 items.

K e y w o r d s: microwave field-effect transistors, field-effect transistors with the Schottky barrier, transistor gate, e-beam lithography

This article deals with the problems of manufacturing technology of microwave field-effect transistors with the Schottky barrier. In the process of work, optimal modes of electron-beam lithography were chosen, which allow forming T-shaped closures on the basis of a three-layer system of resistors. The obtained experimental data allow expanding the line of produced transistors to the region of higher frequencies.

Загрузить (825 КБ)