Подсказка

Уважаемые преподаватели и сотрудники!

На этой странице Вы можете разместить учебные материалы и документы.

Размещаемые здесь материалы и документы являются либо персональными, либо кафедральными, либо институтскими и не контролируются (в отличие от УМК) управлением образовательной деятельностью.

Здесь Вы можете размещать то, что считаете нужным для своей работы.

Подробнее...

Документы подразделения

Редакционно-издательский отдел

 Информация о подразделении...
Вернуться к списку подразделений...
Учебные материалы / Вестник НовГУ / 2017 / 6 (104)
Название документа Описание Размер
Беляков А.Ю., Петров Е.В., Попов В.В. Двухполосные металлокерамические фильтры с копланарными элементами связи УДК 621.372.543 Б е л я к о в А. Ю., П е т р о в Е. В., П о п о в В. В. Двухполосные металлокерамические фильтры с копланарными элементами связи // Вестн. Новг. гос. ун-та. Сер.: Технические науки. 2017. № 6 (104). С.48–50. Библиогр. 4 назв. К л ю ч е в ы е с л о в а: копланарный элемент связи, ортогональные резонаторы, двухполосный керамический фильтр Показана возможность построения компактных двухполосных металлокерамических фильтров при использовании ортогональных копланарных элементов связи в цепочке связанных коаксиальных керамических резонаторов. Представлены варианты реализации двухполосных фильтров при настройке резонансных частот копланарных элементов связи и коаксиальных резонаторов на одну частоту и на разные частоты. ----------------------------------------------------------------------------- UDC 621.372.543 B e l i a k o v A. Iu., P e t r o v E. V., P o p o v V. V. Dual-band metal-ceramic filters with coplanar coupling element // Vestnik NovSU. Issue: Engineering Sciences. 2017. № 6 (104). P.48–50. The reference list 4 items. K e y w o r d s: coplanar coupling elements, orthogonal resonators, dual-band metal-ceramic filters The possibility of design of compact dual-band metal-ceramic filters is shown. The orthogonal coplanar coupling elements in a series of coupled coaxial ceramic resonators were used. The different types of dual-band filters with tuning of resonance frequencies of coplanar coupling elements and coaxial resonators at the same frequency and at different frequencies are presented. 535 КБ
Бичурин М.И., Петров В.М., Леонтьев В.С., Саплев А.Ф. Двухуровневый магнитоэлектрический датчик УДК 621.317 Б и ч у р и н М. И., П е т р о в В. М., Л е о н т ь е в В. С., С а п л е в А. Ф. Двухуровневый магнитоэлектрический датчик // Вестн. Новг. гос. ун-та. Сер.: Технические науки. 2017. № 6 (104). С.4–6. Библиогр. 7 назв. К л ю ч е в ы е с л о в а: магнитоэлектрический эффект, слоистая структура, двухдиапазонный датчик Представлен двухуровневый магнитоэлектрический (МЭ) датчик, состоящий из слоев пермендюра (сплав Fe-Co-V), никеля и цирконата-титаната свинца (ЦТС). Проведен расчет вклада магнитострикции магнитных слоев в величину МЭ коэффициента по напряжению. Двухуровневый режим характеризуется противоположными знаками МЭ коэффициента при различных значениях внешнего постоянного магнитного поля. Установлено, что МЭ коэффициент определяется внешним магнитным полем и параметрами слоистой структуры. ----------------------------------------------------------------------------- UDC 621.317 B i c h u r i n M. I., P e t r o v V. M., L e o n t' e v V. S., S a p l e v A. F. Two-range magnetoelectric sensor // Vestnik NovSU. Issue: Engineering Sciences. 2017. № 6 (104). P.4–6. The reference list 7 items. K e y w o r d s: magnetoelectric effect, layered structure, two-range sensor In this study, we present a two-range magnetoelectric ME sensor design comprised of permendur (Fe-Co-V alloy), nickel, and lead zirconate titanate (PZT) laminate composite. A systematic study was conducted to clarify the contribution of magnetostrictive layers to the ME response over the applied range of magnetic bias field. The two-range behavior was characterized by opposite sign of the ME response when magnetic dc bias is in different sub-ranges. The ME coefficient as a function of magnetic bias field was found to be dependent on the laminate composite structure. 504 КБ
Бойкова М.А., Петрова С.Ю. Пример реализации интероперабельности больших данных для мобильных приложений УДК 004.65 Б о й к о в а М. А., П е т р о в а С. Ю. Пример реализации интероперабельности больших данных для мобильных приложений // Вестн. Новг. гос. ун-та. Сер.: Технические науки. 2017. № 6 (104). С.6–10. Библиогр. 3 назв. К л ю ч е в ы е с л о в а: мобильное приложение, большие данные, шаблон проектирования Аппаратные ресурсы мобильных устройств имеют ограничения по объему памяти, не позволяя разместить на них полноценные системы хранения информации. В этой связи возникает проблема интеграции систем хранения мобильных устройств с каким-либо хранилищем данных. Большинство СУБД поддерживают одну модель данных, что не подходит для решения поставленной задачи. В результате был использован шаблон проектирования Repository, позволяющий связывать мобильное приложение и базу данных. В нашем примере в качестве Repository использовался файл PHP. По нашему мнению, такое решение возможно, но оно не является оптимальным. Прокладка в виде файла PHP задает гибкость в плане интероперабельности больших данных, но PHP закладывает ряд ограничений, которые являются недостатком. ----------------------------------------------------------------------------- UDC 004.65 B o i k o v a M. A., P e t r o v a S. Iu. Implementation of interoperability of big data for mobile applications // Vestnik NovSU. Issue: Engineering Sciences. 2017. № 6 (104). P.6–10. The reference list 3 items. K e y w o r d s: mobile application, big data, design pattern The hardware resources of mobile devices have limitations on the amount of memory not allowing one to place full-fledged storage systems on them. In this connection, the problem arises of integrating storage systems of mobile devices with any data store. Most DBMSs support one data model, which is not suitable for solving this task. In our research we used a Repository design pattern which allows organizing connection between a mobile application and a database. The PHP file was used as the Repository. In our opinion, this solution is possible but not optimal. Using the PHP file as a laying makes the interoperability of big data flexible but PHP lays down a number of limitations which are a drawback. 459 КБ
Букашев Ф.И., Никитин Д.П. Исследование синхронного выпрямителя повышенной радиационной стойкости УДК 621.314.6 Б у к а ш е в Ф. И., Н и к и т и н Д. П. Исследование синхронного выпрямителя повышенной радиационной стойкости // Вестн. Новг. гос. ун-та. Сер.: Технические науки. 2017. № 6 (104). С.10–12. Библиогр. 7 назв. К л ю ч е в ы е с л о в а: синхронный выпрямитель, радиационная стойкость, драйвер управления МОП-Транзисторами Представлены результаты исследования синхронного выпрямителя повышенной радиационной стойкости на основе драйвера управления мощными n-канальными МОП-транзисторами 1364АП1Т. Разработана схема синхронного выпрямителя и измерительный стенд. Для примера проведено сравнение потерь в синхронном выпрямителе с потерями в выпрямителе на диоде Шоттки. ----------------------------------------------------------------------------- UDC 621.314.6 B u k a s h e v F. I., N i k i t i n D. P. The rad hard synchronous rectifier // Vestnik NovSU. Issue: Engineering Sciences. 2017. № 6 (104). P.10–12. The reference list 7 items. K e y w o r d s: synchronous rectifier, rad hard, MOSFET driver This paper presents the study results on a rad hard synchronous rectifier based on the newest MOSFET driver 1364АП1Т. The synchronous rectifier circuit and the test circuit have been developed. The efficiency of the developed rectifier circuit in comparison with Schottky rectifier has been proven. 555 КБ
Быстров Н.Е., Жукова И.Н. Оценка точности измерения азимута целей в когерентных РЛС с квазинепрерывным сложным зондирующим сигналом УДК 621.396.967; 621.396.962 Б ы с т р о в Н. Е., Ж у к о в а И. Н. Оценка точности измерения азимута целей в когерентных РЛС с квазинепрерывным сложным зондирующим сигналом // Вестн. Новг. гос. ун-та. Сер.: Технические науки. 2017. № 6 (104). С.50–55. Библиогр. 3 назв. К л ю ч е в ы е с л о в а: радиолокационные системы, сложные сигналы, корреляционное измерение пеленга Предлагается метод многоканальной корреляционной системы пеленгования цели с перекрытием времени когерентного накопления квазинепрерывных сигналов. Данный метод ориентирован на повышение энергопотенциала РЛС и снижение погрешности пеленгования целей. ----------------------------------------------------------------------------- UDC 621.396.967; 621.396.962 B y s t r o v N. E., Z h u k o v a I. N. Accuracy assessment of measurement of target bearing in coherent radar systems with quasicontinuous wideband probing signals // Vestnik NovSU. Issue: Engineering Sciences. 2017. № 6 (104). P.50–55. The reference list 3 items. K e y w o r d s: radar systems, wideband signals, correlation bearing detection In this paper, we propose a new method of bearing detection. This method uses a multichannel correlation system with a coherent processing interval overlap of quasicontinuous signals. The proposed method achieves the rise of radar energy potential and decrease in bearing detection errors. 573 КБ
Филиппов Д.А., Тихонов А.А., Лалетин В.М., Фирсова Т.О., Маничева И.Н. Магнитоэлектрический эффект в сэндвич структуре арсенид галлия—никель—олово—никель УДК 537.9 Ф и л и п п о в Д. А., Т и х о н о в А. А., Л а л е т и н В. М., Ф и р с о в а Т. О., М а н и ч е в а И. Н. Магнитоэлектрический эффект в сэндвич структуре арсенид галлия—никель—олово—никель // Вестн. Новг. гос. ун-та. Сер.: Технические науки. 2017. № 6 (104). С.44–47. Библиогр. 10 назв. К л ю ч е в ы е с л о в а: магнитоэлектрический эффект, арсенид галлия, никель, гальваническое осаждение Представлены результаты исследования магнитоэлектрического эффекта в сэндвич структуре никель – олово – никель, полученной гальваническим осаждением на подложку из арсенида галлия. Описана технология изготовления структур и представлены экспериментальные результаты частотной зависимости эффекта. Показано, что использование олова в качестве промежуточного слоя уменьшает механические напряжения, возникающие вследствие несоразмерности фаз, что позволяет получать качественные структуры с толщиной никелевого слоя порядка 70 микрон. Полученные структуры обладают хорошей адгезией между слоями и имеют высокую добротность. ----------------------------------------------------------------------------- UDC 537.9 F i l i p p o v D. A., T i k h o n o v A. A., L a l e t i n V. M., F i r s o v a T. O., M a n i c h e v a I. N. Magnetoelectric effect in a sandwich structure of gallium arsenide – nickel – tin – nickel Radiotechnics and telecommunications // Vestnik NovSU. Issue: Engineering Sciences. 2017. № 6 (104). P.44–47. The reference list 10 items. K e y w o r d s: magnetoelectric effect, gallium arsenide, nickel, galvanic deposition This paper presents the research results on the magnetoelectric effect in a nickel-tin-nickel sandwich structure obtained by galvanic deposition on gallium arsenide substrate. The technology of fabrication of these structures is described and the experimental results of the frequency dependence of the effect are presented. It is shown that the use of tin as an intermediate layer leads to reduce in the mechanical stresses resulting from the incommensurability of the phases, which makes it possible to obtain qualitative structures with nickel layer thickness about 70 microns. The resulting structures have good adhesion between the layers and have a high Q-factor. 549 КБ
Гаврушко В.В., Кадриев О.Р., Ласткин В.А., Сапожников А.А. О диаграмме направленности кремниевых дифференциальных отоприемников УДК 621.382.4 Г а в р у ш к о В. В., К а д р и е в О. Р., Л а с т к и н В. А., С а п о ж н и к о в А. А. О диаграмме направленности кремниевых дифференциальных отоприемников // Вестн. Новг. гос. ун-та. Сер.: Технические науки. 2017. № 6 (104). С.17–19. Библиогр. 7 назв. К л ю ч е в ы е с л о в а: дифференциальный фотоприемник, кремний, диаграмма направленности, краевой эффект, корпус, длина волны Приведены результаты исследования диаграмм направленности кремниевых дифференциальных фотоприемников. Измерения проводились отдельно для ультрафиолетового и видимого излучения на длинах волны 0,402 и 0,625 мкм. Рассматривалось два варианта конструктивного исполнения фотоприемников: в традиционном корпусе типа КТ-2 и плоском корпусе типа КТ-93. Установлено, что для излучения с длиной волны 0,402 мкм результаты оказались аналогичными для обоих вариантов изготовления фотоприемников. Диаграммы направленности имели типичный для фотоприемников вид. Ширина диаграмм по уровню 0,5 составила около 90 градусов. Для видимого излучения с длиной волны 0,625 мкм диаграммы оказались различными. При использовании корпуса КТ-2 обнаружено наличие паразитных максимумов на краях диаграммы направленности. Использование плоского корпуса КТ-93 не выявило наличия паразитной чувствительности в области больших длин волн. Для дифференциальных фотоприемников с широкими диаграммами направленности целесообразно использовать корпуса плоской конструкции. ----------------------------------------------------------------------------- UDC 621.382.4 G a v r u s h k o V. V., K a d r i e v O. R., L a s t k i n V. A., S a p o z h n i k o v A. A. On directional diagram of silicon-based differential photodetectors // Vestnik NovSU. Issue: Engineering Sciences. 2017. № 6 (104). P.17–19. The reference list 7 items. K e y w o r d s: differential photodetector, silicon, directional diagram, edge effect, package, wavelength The research results concerning directional diagrams of silicon-based differential photodetectors are presented. The measurements were conducted separately for ultra-violet and visible radiation for wavelengths of 0.402 and 0.625 microns. Both variants of design in traditional КТ-2 package and in flat КТ-93 package were considered. It was found out that for the radiation with wavelength of 0.402 microns the results turned out to be analogous for both variants of photodetector designs. Directional diagrams had a typical form for photodetectors. The width of the diagram on 0.5 level made about 90 degrees. For visible radiation with wavelength of 0.625 microns the diagrams happened to be different. When using КТ-2 package, the presence of parasitic maximums on the edge of directional diagram was detected. Usage of flat КТ-93 package did not show the presence of parasitic sensibility in the range of long length waves. <...> 535 КБ
Грицкевич И.Ю., Виноградов А.С., Григорьев Д.С., Петров М.Н. Улучшение качества потоковых изображений в реальном времени методом LAHE УДК 621.397, 621.383 Г р и ц к е в и ч И. Ю., В и н о г р а д о в А. С., Г р и г о р ь е в Д. С., П е т р о в М. Н. Улучшение качества потоковых изображений в реальном времени методом LAHE // Вестн. Новг. гос. ун-та. Сер.: Технические науки. 2017. № 6 (104). С.20–23. Библиогр. 8 назв. К л ю ч е в ы е с л о в а: выравнивание гистограммы, улучшение изображения, потоковое видео, ПЛИС Технология контрастно-ограниченной адаптивной эквализации гистограммы позволяет повысить видимость деталей изображения путем увеличения контраста локальных областей. Этот метод основан на расчете гистограмм отдельных блоков изображения (плиток). Однако реализация CLAHE требует значительных вычислительных затрат, что ограничивает его применение для областей, требующих предоставления информации в реальном масштабе времени. В данной работе предложен алгоритм, позволяющий повысить быстродействие метода за счет реализации параллельной обработки информации на ПЛИС. ----------------------------------------------------------------------------- UDC 621.397, 621.383 G r i t s k e v i c h I. Iu., V i n o g r a d o v A. S., G r i g o r' e v D. S., P e t r o v M. N. Processing of stream images in real time by CLAHE method // Vestnik NovSU. Issue: Engineering Sciences. 2017. № 6 (104). P.20–23. The reference list 8 items. K e y w o r d s: histogram equalization, image enhancement, stream video, FPGA Contrast limited adaptive histogram equalization (CLAHE) is a technique to enhance the visibility of local details of an image by increasing the contrast in local regions. CLAHE computes several histograms of intensity values, each corresponding to a distinct region of the image. However, complexity of the interpolation process increases the computation demand dramatically. In this paper, we propose an approach for real-time computation of CLAHE using an FPGA. 1223 КБ
Карачинов В.А., Зверев К.А., Карачинов Д.В., Казакова М.В., Евстигнеев Д.А. Моделирование функциональной характеристики датчика скорости в составе пиро-микромеханической системы на основе карбида кремния УДК 681.7.013 К а р а ч и н о в В. А., З в е р е в К. А., К а р а ч и н о в Д. В., К а з а к о в а М. В., Е в с т и г н е е в Д. А. Моделирование функциональной характеристики датчика скорости в составе пиро-микромеханической системы на основе карбида кремния // Вестн. Новг. гос. ун-та. Сер.: Технические науки. 2017. № 6 (104). С.27–29. Библиогр. 11 назв. К л ю ч е в ы е с л о в а: микросистема, карбид кремния, измерение, скорость, моделирование, диффузионное пламя, телевизионный пирометр, датчик, изображение Разработана физическая модель датчика скорости нагретого газового потока в составе пиро-микромеханической измерительной системы на основе карбида кремния. В интервале температур 800÷1200°С в рамках компьютерного эксперимента получены функциональные характеристики, позволяющие оптимизировать ее конструкцию с учетом особенностей эксплуатации и технологии измерения по изображению. ----------------------------------------------------------------------------- UDC 681.7.013 K a r a c h i n o v V. A., Z v e r e v K. A., K a r a c h i n o v D. V., K a z a k o v a M. V., E v s t i g n e e v D. A. Modelling the functional characteristics of a speed sensor as a part of the pyro-MEMS system based on silicon carbide // Vestnik NovSU. Issue: Engineering Sciences. 2017. № 6 (104). P.27–29. The reference list 11 items. K e y w o r d s: microsystem, silicon carbide, dimension, speed, modeling, diffusion flame, television pyrometer, sensor, image The authors developed a physical model of the speed sensor for the heated gas stream consisting of pyro-MEMS measuring system based on silicon carbide. Within the framework of computer simulation, in the temperature range of 800÷1200°C the authors obtained some functional characteristics, which allow optimizing the model construction taking into account the specifics of operation and measurement by image processing. 516 КБ
Кирьянов Д.В., Кирьянов Б.Ф. К проблеме защиты информации в каналах связи УДК 681.322, 681.51 К и р ь я н о в Д. В., К и р ь я н о в Б. Ф. К проблеме защиты информации в каналах связи // Вестн. Новг. гос. ун-та. Сер.: Технические науки. 2017. № 6 (104). С.74. Библиогр. 6 назв. (Краткие сообщения) ----------------------------------------------------------------------------- UDC 681.322, 681.51 K i r' i a n o v D. V., K i r' i a n o v B. F. On the information protection on communication channels // Vestnik NovSU. Issue: Engineering Sciences. 2017. № 6 (104). P.74. The reference list 6 items. (Short reports) 278 КБ
Колногоров А.В., Шиян Д.Н. Оптимизация алгоритма зеркального спуска для групповой обработки данных УДК 519.865 К о л н о г о р о в А. В., Ш и я н Д. Н. Оптимизация алгоритма зеркального спуска для групповой обработки данных // Вестн. Новг. гос. ун-та. Сер.: Технические науки. 2017. № 6 (104). С.55–60. Библиогр. 5 назв. К л ю ч е в ы е с л о в а: управление в случайной среде, задача о двуруком бандите, алгоритм зеркального спуска, параллельная обработка Рассматривается оптимизация алгоритма зеркального спуска для групповой обработки данных в двухальтернативной среде. Групповая обработка данных имеет неоспоримое преимущество в скорости обработки, поскольку время обработки зависит не от общего количества данных, а от количества групп, на которые эти данные разбиты. Приводится несколько вариантов модификации алгоритма, и описываются их свойства. С помощью моделирования по методу Монте-Карло получены численные оценки для алгоритмов, а также определены оптимальные значения настраиваемых параметров. ----------------------------------------------------------------------------- UDC 519.865 K o l n o g o r o v A. V., S h i i a n D. N. Optimization of the mirror descent algorithm for parallel data processing // Vestnik NovSU. Issue: Engineering Sciences. 2017. № 6 (104). P.55–60. The reference list 5 items. K e y w o r d s: control in a random environment, two-armed bandit problem, mirror descent algorithm, parallel processing The optimization of the mirror descent algorithm for group processing of data in a two-alternative environment is considered. Group processing has an undeniable advantage in processing speed because the processing time depends not on the total amount of data but on the number of groups into which these data are divided. Several variants of modification of the algorithm are given, and their properties are described. With the Monte-Carlo simulations, numerical estimates for the algorithms were obtained, and optimal values of the tunable parameters were determined. 524 КБ
Красильников В.В., Лукьянова О.А., Савотченко С.Е. Аналитическое описание температурных зависимостей радиотехнических характеристик керамики на основе нитрида кремния УДК 539.2;666.3 К р а с и л ь н и к о в В. В., Л у к ь я н о в а О. А., С а в о т ч е н к о С. Е. Аналитическое описание температурных зависимостей радиотехнических характеристик керамики на основе нитрида кремния // Вестн. Новг. гос. ун-та. Сер.: Технические науки. 2017. № 6 (104). С.60–62. Библиогр. 2 назв. К л ю ч е в ы е с л о в а: керамика, нитрид кремния, радиотехнические свойства, тангенс угла диэлектрических потерь, диэлектрическая проницаемость Функциональные материалы из керамики на основе нитрида кремния находят широкое применение в качестве изделий радиотехнического назначения в приборостроении и других отраслях. В работе проведено аналитическое описание экспериментально установленных закономерностей зависимости от температуры диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь керамики на основе нитрида кремния в рамках феноменологической модели. Показано, что модельные зависимости адекватно описывают экспериментальные данные. Зависимость диэлектрической проницаемости от температуры описывается линейной функцией. Получена оценка температурной скорости роста диэлектрической проницаемости. На основе найденной аналитической зависимости предложена методика оценки температурного максимума диэлектрических потерь. Также предложена методика интерполяции и прогнозирования относительного изменения тангенса угла диэлектрических потерь от температуры на основе экспериментальных параметров с использованием полученного аналитического выражения. ----------------------------------------------------------------------------- UDC 539.2;666.3 K r a s i l' n i k o v V. V., L u k' i a n o v a O. A., S a v o t c h e n k o S. E. Analytical description of the temperature dependent radiotechnical characteristic of ceramics based on silicon nitride // Vestnik NovSU. Issue: Engineering Sciences. 2017. № 6 (104). P.60–62. The reference list 2 items. K e y w o r d s: ceramics, silicon nitride, radiotechnical properties, dielectric loss tangent, permittivity The functional silicon nitride ceramic materials are used widely in manufactured articles applied into a radio equipment field and etc. In this work, the analytic description of the temperature dependence of dielectric permeability and dielectric loss tangent obtained experimentally are fulfilled for the silicon nitride ceramics within a phenomenological model. It is shown that the model dependences describe the experimental data adequately. The dielectric permeability dependence is described by a linear function. The temperature growth speed evaluation of dielectric permeability is obtained. <...> 446 КБ
Кузьмин Е.В., Платонов С.В., Никитин А.О., Хаванова М.А., Петров Р.В. Исследование устройства сбора радиочастотной энергии УДК 621.396.6 К у з ь м и н Е. В., П л а т о н о в С. В., Н и к и т и н А. О., Х а в а н о в а М. А., П е т р о в Р. В. Исследование устройства сбора радиочастотной энергии // Вестн. Новг. гос. ун-та. Сер.: Технические науки. 2017. № 6 (104). С.63–66. Библиогр. 3 назв. К л ю ч е в ы е с л о в а: устройство сбора энергии, RF to DC, энергохарвестер, радиохарвестинг, Wi-Fi устройства, СВЧ-устройства Энергособирающие устройства представляют значительный интерес для питания беспроводных систем и компонентов, т.к. допускают длительную и безотказную работу без вмешательства человека, обеспечивают значительные преимущества в отношении характеристик, надёжности и цены. В настоящее время они успешно применяются в беспроводных системах, дополняя или даже замещая батарейные устройства для питания датчиков, исполнительных механизмов, трансиверов, регистраторов и т.д. Автономное питание на всех уровнях системной интеграции — перспективное направление в эволюции беспроводных систем. В статье рассмотрено устройство передачи и сбора радиоэнергии на частоте 2,44 ГГц. Достигнутое значение потенциала на приемном устройстве составило 22 млВ на расстоянии 15 см. ----------------------------------------------------------------------------- UDC 621.396.6 K u z' m i n E. V., P l a t o n o v S. V., N i k i t i n A. O., K h a v a n o v a M. A., P e t r o v R. V. The study of the radiofrequency energy harvesting device // Vestnik NovSU. Issue: Engineering Sciences. 2017. № 6 (104). P.63–66. The reference list 3 items. K e y w o r d s: energy harvesting device, RF to DC, energy harvester, radio harvesting, Wi-Fi devices, microwave devices Energy collecting devices (Energy Harvesters) are of great interest for powering wireless systems and components because allow long and reliable exploitation without human interaction, which offers significant advantages in respect of parameters, reliability, and price. Currently, they are successfully used in wireless systems complementing or even replacing the battery devices to power the sensors, actuators, transceivers, recorders, etc. Self-contained power supply at all levels of system integration is a promising direction in the evolution of wireless systems. <...> 3314 КБ
Попов С.А. Метод коррекции цифровых фотографий на основе референтных цветов УДК 81.255.2 П о п о в С. А. Метод коррекции цифровых фотографий на основе референтных цветов // Вестн. Новг. гос. ун-та. Сер.: Технические науки. 2017. № 6 (104). С.30–32. Библиогр. 5 назв. К л ю ч е в ы е с л о в а: цифровые фотографии, психологически важные цвета, коррекция цветов, многооткликовая модель Предлагается метод коррекции цифровых фотографий с использованием психологически важных цветов в изображении. Итерационная процедура позволяет задавать и изменять эти цвета с помощью весовых коэффициентов многооткликовой модели цветовой коррекции, что обеспечивает более реалистическое изображение. ----------------------------------------------------------------------------- UDC 81.255.2 P o p o v S. A. Method of correction of digital photographs on the basis of referential colors // Vestnik NovSU. Issue: Engineering Sciences. 2017. № 6 (104). P.30–32. The reference list 5 items. K e y w o r d s: digital photograph, psychologically-crucial colors, color correction, multiresponse model A method of correction of digital photographs using psychologically-crucial colors in the image is described. The iteration procedure allows setting and changing these colors by means of weight coefficient of multiresponse color correction model which provides more realistic images. 482 КБ
Рябко А.А., Максимов А.И., Мошников В.А. Гидротермальный синтез для управляемой самосборки иерархических покрытий на основе оксида цинка с воспроизводимой формой наностержней УДК 539.232 Р я б к о А. А., М а к с и м о в А. И., М о ш н и к о в В. А. Гидротермальный синтез для управляемой самосборки иерархических покрытий на основе оксида цинка с воспроизводимой формой наностержней // Вестн. Новг. гос. ун-та. Сер.: Технические науки. 2017. № 6 (104). С.32–37. Библиогр. 12 назв. К л ю ч е в ы е с л о в а: низкотемпературный гидротермальный синтез, оксид цинка, иерархические структуры, наностержни Свойства наноматериалов с иерархической структурой и параметры приборов на их основе зависят от размеров, формы, кристалличности и характера легирования составляющих наноэлементов, а также от особенностей сборки этих элементов в пористые иерархические микроструктуры. В данной работе показаны возможности метода низкотемпературного гидротермального синтеза для управляемого формирования разнообразных иерархических структур оксида цинка путем вариации термодинамических и кинетических условий синтеза. ----------------------------------------------------------------------------- UDC 539.232 R i a b k o A. A., M a k s i m o v A. I., M o s h n i k o v V. A. Hydrothermal synthesis for controlled self-assembly of hierarchical coatings based on zinc oxide with recoverable shape of nanorods // Vestnik NovSU. Issue: Engineering Sciences. 2017. № 6 (104). P.32–37. The reference list 12 items. K e y w o r d s: low-temperature hydrothermal synthesis, zinc oxide, hierarchical structure, nanorods The properties of nanomaterials with a hierarchical structure and the parameters of devices based on them depend on the size, shape, crystallinity, and doping as well as on the specifics of assembly of hierarchical structures. This paper presents some methods of low-temperature hydrothermal synthesis for creating various hierarchical structures based on zinc oxide by variation of thermodynamic and kinetic conditions of synthesis. 7431 КБ
Снисаренко Д.В., Татаренко А.С. Исследование зависимости вентильного отношения от параметров магнитоэлектрического СВЧ вентиля-аттенюатора, реализованного на щелевой линии передачи УДК 621.372 С н и с а р е н к о Д. В., Т а т а р е н к о А. С. Исследование зависимости вентильного отношения от параметров магнитоэлектрического СВЧ вентиля-аттенюатора, реализованного на щелевой линии передачи // Вестн. Новг. гос. ун-та. Сер.: Технические науки. 2017. № 6 (104). С.67–70. Библиогр. 2 назв. К л ю ч е в ы е с л о в а: магнитоэлектрический СВЧ вентиль-аттенюатор, щелевая линия передачи, феррит-пьезоэлектрический резонатор; вентильное отношение Рассмотрен электрически управляемый магнитоэлектрический (МЭ) СВЧ вентиль-аттенюатор на основе слоистой феррит-пьезоэлектрической структуры, реализованный на щелевой линии передачи. Представлены результаты исследования методом компьютерного моделирования зависимости величины вентильного отношения от следующих параметров МЭ вентиля-аттенюатора: длины, толщины, ширины ферритовой пластины МЭ резонатора и уширения щели линии передачи. ----------------------------------------------------------------------------- UDC 621.372 S n i s a r e n k o D. V., T a t a r e n k o A. S. The study of the isolation ratio dependence on the parameters of the ME isolator-attenuator formed on a slot line // Vestnik NovSU. Issue: Engineering Sciences. 2017. № 6 (104). P.67–70. The reference list 2 items. K e y w o r d s: magnetoelectric microwave isolator-attenuator, slot line, ferrite-piezoelectric resonator, isolation ratio An electrically controlled magnetoelectric (ME) microwave isolator-attenuator based on layered ferrite-piezoelectric structure formed on a slot line is considered. This paper also presents the results of a computer simulation study of the isolation ratio dependence on the following parameters of the ME isolator-attenuator: length, thickness, width of the ferrite plate of the ME resonator, and transmission line broadening. 1494 КБ
Соколов О.В., Колесников Н.А., Жиглинский С.В. Изгибные колебания в микроструктурах Ni/GaN и Ni/AlN УДК 621.317 С о к о л о в О. В., К о л е с н и к о в Н. А., Ж и г л и н с к и й С. В. Изгибные колебания в микроструктурах Ni/GaN и Ni/AlN // Вестн. Новг. гос. ун-та. Сер.: Технические науки. 2017. № 6 (104). С.38–41. Библиогр. 5 назв. К л ю ч е в ы е с л о в а: магнитоэлектрический эффект, микроструктура, изгибные колебания Представлено теоретическое моделирование изгибных колебаний в ферромагнетик-пьезополупроводниковых микроструктурах Ni/GaN(AlN) в диапазоне электромеханического резонанса. Рассмотрены три типа закрепления исследуемых микроструктур групп III-нитридов: свободное; один конец свободен, другой жестко защемлен; свободно опертое. ----------------------------------------------------------------------------- UDC 621.317 S o k o l o v O. V., K o l e s n i k o v N. A., Z h i g l i n s k i i S. V. Bending vibrations in microstructures of Ni/GaN and Ni/AlN // Vestnik NovSU. Issue: Engineering Sciences. 2017. № 6 (104). P.38–41. The reference list 5 items. K e y w o r d s: magnetoelectric effect, microstructure, bending vibrations In this study, we present a theoretical modeling of bending vibrations in ferromagnet-piezoelectric semiconductor microstructures of Ni/GaN(AlN) in the electromechanical resonance range. Three types of clamping for investigated microstructure of IIInitride groups are considered: free, beam and freely supported ones. 800 КБ
Соколовский Н.С., Колесников М.А. Заметки о линейной сложности сбалансированных циклотомических последовательностей шестого порядка УДК 519.7 С о к о л о в с к и й Н. С., К о л е с н и к о в М. А. Заметки о линейной сложности сбалансированных циклотомических последовательностей шестого порядка // Вестн. Новг. гос. ун-та. Сер.: Технические науки. 2017. № 6 (104). С.71–73. Библиогр. 7 назв. К л ю ч е в ы е с л о в а: линейная сложность, конечное поле, циклотомические последовательности Вычислена линейная сложность семейства сбалансированных бинарных последовательностей, сформированных на циклотомических классах шестого порядка. ----------------------------------------------------------------------------- UDC 519.7 S o k o l o v s k i i N. S., K o l e s n i k o v M. A. Notes about the linear complexity of balanced cyclotomic sequences of order six // Vestnik NovSU. Issue: Engineering Sciences. 2017. № 6 (104). P.71–73. The reference list 7 items. K e y w o r d s: linear complexity, finite field, cyclotomic sequences In this paper, we derived the linear complexity of a family of balanced binary sequences based on cyclotomic classes of order six. 456 КБ
Удальцов В.Е., Удальцов А.В., Фомин О.Г. Обеспечение тепловых режимов мощных светодиодов УДК 621.383.525 У д а л ь ц о в В. Е., У д а л ь ц о в А. В., Ф о м и н О. Г. Обеспечение тепловых режимов мощных светодиодов // Вестн. Новг. гос. ун-та. Сер.: Технические науки. 2017. № 6 (104). С.41–44. Библиогр. 4 назв. К л ю ч е в ы е с л о в а: светодиод, печатная плата, контактные площадки, теплопроводность плат Предложен новый способ установки светоизлучающих диодов, пригодный для поверхностного монтажа светодиодов в корпусах различного исполнения. Рассматривается конструкция светодиодного светильника, в которой возможно значительное снижение общего теплового сопротивления тепловому потоку за счет исключения влияния печатной платы на процесс теплопереноса. Это позволяет обеспечить качественный тепловой контакт нижней, теплонагруженной стороны корпуса светодиода непосредственно с поверхностью теплоотвода. При этом исключается влияние материала печатной платы на процесс теплопередачи. В статье также рассматриваются керамические и пластмассовые корпуса мощных светодиодов, пригодные для установки на печатные платы указанным способом. У таких светодиодов выводы располагаются на верхней, лицевой стороне корпуса и изолированы от теплоотводящего основания. ----------------------------------------------------------------------------- UDC 621.383.525 U d a l' t s o v V. E., U d a l' t s o v A. V., F o m i n O. G. Construction and mounting of high power LED on PCB // Vestnik NovSU. Issue: Engineering Sciences. 2017. № 6 (104). P.41–44. The reference list 4 items. K e y w o r d s: light emitting diode, PCB, contact pad, thermal conductivity of PCB A new method of installing light-emitting diodes in various packages suitable for surface mount is proposed. Construction of the LED lamp with sufficient lowering of the general thermal resistance to a heat flux is available due to elimination of printed circuit board influence on heat transfer process is considered. It allows providing high-quality thermal contact of the lower heat-loaded side of the LED case directly with the surface of the heatsink. At the same time, the influence of PCB material on a heat transfer process is excluded. In this article, the ceramic and plastic casings of power LEDs suitable for installation on printed circuit boards by the specified method are also considered. Such LEDs have contact pads located on upper facing side of the case and isolated from the heateliminating base. 595 КБ
Воропаев К.О., Селезнев Б.И., Ионов А.С., Петров А.В. Омические контакты для вертикально-излучающих лазеров с внутрирезонаторными контактами на основе гетероэпитаксиальных структур арсенида галлия УДК 621.373.8 В о р о п а е в К. О., С е л е з н е в Б. И., И о н о в А. С., П е т р о в А. В. Омические контакты для вертикально-излучающих лазеров с внутрирезонаторными контактами на основе гетероэпитаксиальных структур арсенида галлия // Вестн. Новг. гос. ун-та. Сер.: Технические науки. 2017. № 6 (104). С.13–16. Библиогр. 5 назв. К л ю ч е в ы е с л о в а: вертикально-излучающие лазеры, наногетероструктуры арсенида галлия, омические контакты, диффузионный барьер, удельное сопротивление, профилометрия, силовая электронная микроскопия Рассмотрена технология формирования омических контактов к структурам вертикально-излучающих лазерных диодов (ВИЛ) с внутрирезонаторными контактами, содержащих контактные слои GaAs p- и n-типа толщиной 50 нм. При разработке технологии формирования омических контактов для ВИЛ были проведены эксперименты по подбору состава металлизации и режимов последующего формирования металлизированного рисунка. Проведен сравнительный анализ диффузионных барьеров на основе Ni и Mo. После напыления металлических пленок проводился быстрый термический отжиг полученных систем в атмосфере азота. Исследованы характеристики омических контактов: внешний вид, морфология поверхности контактов, удельное сопротивление. Методом силовой электронной микроскопии проведена оценка глубины диффузии металлов в полупроводниках после отжига при формировании омического контакта к GaAs n-типа. ----------------------------------------------------------------------------- UDC 621.373.8 V o r o p a e v K. O., S e l e z n e v B. I., I o n o v A. S., P e t r o v A. V. The ohmic contacts for vertical cavity surface emitting lasers based on heteroepitaxial structure of GaAs with intracavity contact layers // Vestnik NovSU. Issue: Engineering Sciences. 2017. № 6 (104). P.13–16. The reference list 5 items. K e y w o r d s: vertical cavity surface emitting laser, heteronanostructure of GaAs, ohmic contact, diffusion barrier, resistivity, profilometry, electric force microscopy This paper presents the research of technology of forming ohmic contacts for nanoheterostructures of vertical cavity surface emitting lasers (VCSEL). This multilayer structure is comprised of the following layers: distributed Bragg reflector of Ga1-xAlxAs, aperture layer, contact layers of n- and p-type GaAs, active layer and substrate of GaAs. Metallisation was formed by lift-off photolithography and thermal vacuum deposition. The authors researched ohmic contacts based on metallic layers: Ti-Pt-Au for p-type, AuGe/Mo(Ni)/Au for n-type. They also compared the efficiency of diffusion barriers based on metallic layers of Mo and Ni and analyzed a few parameters of ohmic contacts: electrical resistivity, morphology, appearance, and diffusion depth in semiconductors. 2076 КБ
Желаннов А.В., Селезнев Б.И., Федоров Д.Г. Технологические особенности формирования структур диодов Шоттки на нитриде галлия УДК 621.382.2 Ж е л а н н о в А. В., С е л е з н е в Б. И., Ф е д о р о в Д. Г. Технологические особенности формирования структур диодов Шоттки на нитриде галлия // Вестн. Новг. гос. ун-та. Сер.: Технические науки. 2017. № 6 (104). С.24–27. Библиогр. 5 назв. К л ю ч е в ы е с л о в а: нитрид галлия, диод Шоттки, реактивно-ионное травление, ионная имплантация, омический контакт, быстрый термический отжиг Рассмотрены технологические особенности формирования диодных структур на основе GaN. Проведено исследование ионно-легированных слоев GaN методами Холла, атомно-силовой микроскопии, вторичной ионной масс-спектрометрии, определены условия формирования ионно-легированных слоев GaN с высокой степенью активации Si+. Приведен краткий технологический цикл изготовления диодных структур с описанием основных операций. ----------------------------------------------------------------------------- UDC 621.382.2 Z h e l a n n o v A. V., S e l e z n e v B. I., F e d o r o v D. G. Technological peculiarities for forming the structures of Schottky diodes on GaN // Vestnik NovSU. Issue: Engineering Sciences. 2017. № 6 (104). P.24–27. The reference list 5 items. K e y w o r d s: gallium nitride, Schottky diode, reactive ion etching, ion implantation, ohmic contact, rapid thermal annealing Technological features of the formation of diode structures based on GaN are considered. The investigation of ion-doped GaN layers by AFM, SIMS, and Hall methods was carried out, and conditions for the formation of ion-doped GaN layers with a high degree of Si+ activation were determined. A brief technological cycle for fabricating diode structures with a description of the basic operations is given. 513 КБ