Кафедра на заводе | ||
Б.И. Селезнев, директор ИЭИС НовГУ
| ||
Обеспечение высокого уровня технологической и практической подготовки в НПИ инженеров электронной техники требовало высокой квалификации преподавательского состава, энергоёмкого дорогостоящего технологического и измерительного оборудования и опыта ведущих заводских специалистов. | ||
С первых дней прихода на кафедру В.В. Сорока нацеливал коллектив на тесное сотрудничество с промышленными предприятиями. И вот в 1985 году по согласованию с Министерством электронной промышленности на ПО "Планета" был создан филиал кафедры полупроводниковых и микроэлектронных приборов. На базе филиала кафедры проводились ознакомительная, производственная и преддипломная практики, учебно-исследовательская и научно-исследовательская работа студентов. За год через филиал проходило до 70 студентов, выполнялось до 15 дипломных проектов. К работе привлекали до 40 заводских специалистов. Был организован лабораторный практикум по высоким технологиям, в том числе технологии ионного легирования. Читали дисциплины, связанные с моделированием полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Филиал кафедры разработал учебно-методическую документацию по вопросам проектирования топологии изделий электронной техники, структуру и основные элементы отраслевых САПР изделий электронной техники, методические указания к дипломному проектированию. Использование производственного и научного потенциала ведущих заводских подразделений позволило организовать учебный процесс на высоком научно-методическом уровне. Сократились сроки адаптации молодых специалистов, совершенствовалась система их распределения и использования, повышалась квалификация выпускников и заводских специалистов. Всесоюзный семинар Кафедра физики твердого тела и микроэлектроники и ОКБ "Планета" поддерживают научные контакты с советами Академии наук СССР. Они были организаторами первого в НПИ Всесоюзного семинара "Взаимодействие ионных пучков с атомами и поверхностью твердого тела" (апрель 1986 г.). Семинар был организован по инициативе объединенного научного совета по комплексной проблеме "Физика плазмы" АН СССР и его председателя академика Б.Б. Кадомцева. Участники семинара - 49 ведущих научных организаций и предприятий из 16 городов СССР: Москвы, Ленинграда, Киева, Минска, Новосибирска, Таллина, Горького и др. Научные исследования, представленные на семинаре, внесли заметный вклад в развитие физики атомов и твердого тела, микроэлектроники и методов исследования поверхности. Хоздоговорные НИР, проводимые кафедрой с 1983 года, включены в координационный план АН СССР по проблемам "Физика твердого тела" и "Лазерная обработка поверхности микроэлектронных структур. Лазерный отжиг ионно-легированных слоев". Так осуществлялось взаимодействие академического, отраслевого и вузовского секторов науки. Сотрудничество Кафедра ФТТМ проводила НИОКР в области сенсорики. По заказу компании "Сплав" разработан газосигнализатор для контроля утечек водорода, использующий газочувствительный полупроводниковый датчик. Он предназначен для определения концентрации водорода в производственных помещениях, поиска мест течи из замкнутых объемов и сигнализации о взрывоопасности водород-воздушной смеси. Разработаны конструкции и технология изготовления полупроводниковых преобразователей давления для различных применений. Датчики прошли испытания в НИИ "Теплоприбор" (Москва), ВНИИ электроизмерительных приборов (Петербург) и в сравнении с зарубежными аналогами показали конкурентоспособность. Разработаны и изготовлены оригинальные координатно-чувствительные фотоприемники на основе кремния. Создан ряд фотоприемников для пультов дистанционного управления телевизорами предприятия "Квант". Тогда же разработан не имеющий аналогов широкодиапазонный кремниевый фотоприемник, которым комплектовали спектрометры ГОИ (Ленинград) для видимой и ближней ИК областей спектра. Завершаются исследования по разработке современного фотоприемника для ультрафиолетового диапазона, который может иметь широкие области применения и хорошие коммерческие перспективы. Представляет интерес развитие работ по магистерской диссертации Н.И. Марченко, посвященной исследованию трёхцветного фотоприемника на основе кремния. Эффект от его разработки и внедрения можно сравнить с заменой черно-белого восприятия изображения на цветное. В 1980-1992 г.г. разработаны способы управления характеристиками тонких диэлектрических пленок и приповерхностных полупроводниковых слоев с применением ионных пучков и импульсных оптических обработок. Исследованы и разработаны современные технологические процессы, используемые при создании ряда СВЧ микроэлектронных приборов на германии и арсениде галлия: ионная имплантация, лазерная обработка микроструктур, формирование диэлектрических пленок и границ раздела диэлектрик-подложка. Разработан и внедрен в производство комплекс аппаратуры для исследований полуизолирующего арсенида галлия. Разработана и внедрена в производство усовершенствованная технология изготовления малошумящих СВЧ полевых транзисторов с барьером Шоттки на арсениде галлия с ионно-легированными слоями. Изготовленные приборы по параметрам близки к зарубежным аналогам. В 1999-2004 г.г. сотрудники ОКБ-Планета принимали участие в НИР, проводимых в НовГУ по заказу Министерства образования и науки РФ: "Разработка микроприборов для оптической и СВЧ электроники", "Разработка микроприборов на основе нанослоевых композиций соединений А3В5 для СВЧ техники". На современном этапе В последние годы основные усилия кафедры физики твердого тела и микроэлектроники были сосредоточены на разработке аппаратуры для измерений параметров СВЧ микроприборов. Разработаны измеритель статических параметров микроприборов и измерительный комплекс для СВЧ p-i-n диодов. В последние годы прошло становление системы подготовки кадров для ОКБ-Планета. На работу пришли несколько десятков выпускников ИЭИС по специальностям и направлениям радиоэлектронного и микроэлектронного профилей. Большинство дипломных проектов и магистерских диссертаций были выполнены непосредственно в условиях производства либо по заданиям ОКБ-Планета. Используем новые формы стимулирования и профессиональной подготовки студентов и выпускников: именные стипендии, стажировки в ведущих вузах, Всероссийские конкурсы студентов и аспирантов. |