Материал будущего

VI международный научный семинар "Карбид кремния и родственные материалы "ISSCRM-2009" собрал весьма представительное сообщество ведущих ученых Москвы, Санкт-Петербурга, а также таких стран, как Украина, Польша, США, Швеция.

Доктора физико-математических наук Физико-технического института имени Иоффе Е.Н. Мохов и П.А. Иванов.

Карбид кремния (SiC) с начала XXI века все более широко внедряется в мировую полупроводниковую промышленность. Это происходит благодаря его уникальным физическим, химическим и электронным свойствам. При температуре плавления 2830 °C он по твёрдости уступает лишь алмазу и нитриду бора - боразону.

Химически карбид кремния - это тот же алмаз, у которого половина атомов углерода заменили кремнием, и получился такой симбиоз. Он обладает свойствами, которые заметно отличаются от кремния и по твердости, по фактическим параметрам ближе к свойствам алмаза. Он, конечно, значительно дешевле и технологичнее, чем алмаз, поэтому рассматривается сейчас как новый стандарт в электронной промышленности.

Используется карбид кремния как абразивный материал и для изготовления деталей химической и металлургической аппаратуры, работающей в условиях высоких температур.

Очень перспективен в силовой и СВЧ-электронике в связи с высокими рабочими температурами, электрической прочностью и хорошей теплопроводностью, а также в качестве материала для высокоэффективных светодиодов.

На выставке можно было посмотреть не только на фото, но и на сами кристаллы. Красиво и стильно!

Использование карбида кремния в качестве полупроводника в связи с трудностью получения его высококачественных монокристаллов в настоящее время только начинается.

Как рассказал член программного комитета семинара Виктор Екимович Удальцов, ответственный секретарь ИЭИС, старший научный сотрудник кафедры общей и экспериментальной физики, отличие этой конференции в том, что она как никогда раньше привлекла внимание производственников. В НовГУ приехали представители промышленных предприятий Воронежа, Зеленограда и Саранска (три электронных центра России), Нижнего Новгорода, Таганрога, Фрязино и др.

Надо отметить, что оборудование в таких производствах очень дорого - одна установка для выращивания эпитакситальных пленок стоит два миллиона долларов. Эти установки позволяют разрабатывать и изготавливать различные типы изделий на основе карбида кремния - диоды Шоттки и светоизлучающие диоды. Последние широко используются в светодиодных источниках света, которые благодаря своей сверхэкономности и большому сроку службы в ближайшее время преобразят мир искусственного освещения.

Поэтому и для ученых, и для производственников так важно быть в курсе всех последних разработок в данной сфере. Это позволит заложить базу для развития в России новой ультрасовременной отрасли полупроводниковой промышленности.