Вестник НовГУ

Вестник НовГУ > 2012 > №67 > Платонов С.В., Пермяков Н.В., Селезнев Б.И., Мошников В.А., Козловский Э.Ю., Осипов А.М. Малошумящие арсенид-галлиевые усилители при воздействии электромагнитных помех повышенных интенсивностей

Платонов С.В., Пермяков Н.В., Селезнев Б.И., Мошников В.А., Козловский Э.Ю., Осипов А.М. Малошумящие арсенид-галлиевые усилители при воздействии электромагнитных помех повышенных интенсивностей

УДК 621.382.323
П л а т о н о в С. В., П е р м я к о в Н. В., С е л е з н е в Б. И., М о ш н и к о в В. А., К о з л о в с к и й Э. Ю., О с и п о в А. М. Малошумящие арсенид-галлиевые усилители при воздействии электромагнитных помех повышенных интенсивностей // Вестн. Новг. гос. ун-та. 2012. № 67. C.29-32.
Методом атомно-силовой микроскопии проведен анализ физической структуры арсенид-галлиевых малошумящих усилителей при воздействии электромагнитных помех повышенных интенсивностей с целью определения основных механизмов отказов. В качестве активных элементов усилителей использованы полевые транзисторы с барьером Шоттки на псевдоморфных гетероэпитаксиальных структурах с высокой подвижностью электронов. Предложен механизм изменения физической структуры металлизации.
Библиогр. 4 назв. Ил.6.

Загрузить (1107 КБ)