Вестник НовГУ

Вестник НовГУ > 2012 > №68 > Козловский Э.Ю., Селезнев Б.И. Моделирование СВЧ малошумящего рHEMT транзистора с применением САПР Microwave Office

Козловский Э.Ю., Селезнев Б.И. Моделирование СВЧ малошумящего рHEMT транзистора с применением САПР Microwave Office

УДК 621.382.323
К о з л о в с к и й Э. Ю., С е л е з н е в Б. И. Моделирование СВЧ малошумящего рHEMT транзистора с применением САПР Microwave Office // Вестн. Новг. гос. ун-та. Сер.: Технические науки. 2012. № 68. С.41-45.
Рассматриваются особенности построения линейной и нелинейной моделей СВЧ малошумящего pHEMT транзистора с применением САПР Microwave Office 2010. Апробация моделей выполнена на примере построения однокаскадного малошумящего усилителя, по результатам измерения шумовых характеристик которого выполнено уточнение исходных моделей в части шумовых параметров, что делает возможным применение такого подхода при исследовании СВЧ транзисторов различного частотного диапазона и построении библиотеки активных элементов в рамках существующей технологии изготовления.
Библиогр. 6 назв. Ил. 5.

Загрузить (1203 КБ)