Вестник НовГУ

Вестник НовГУ > 2012 > №68 > Гаврушко В.В., Григорьев А.Н., Иванов В.Г. Исследование вольт-фарадных характеристик фоточувствительных структур на основе InGaAsSb

Гаврушко В.В., Григорьев А.Н., Иванов В.Г. Исследование вольт-фарадных характеристик фоточувствительных структур на основе InGaAsSb

УДК 621.383.4
Г а в р у ш к о В. В., Г р и г о р ь е в А. Н., И в а н о в В. Г. Исследование вольт-фарадных характеристик фоточувствительных структур на основе InGaAsSb // Вестн. Новг. гос. ун-та. Сер.: Технические науки. 2012. №68. С.90-92.
Представлены результаты измерения вольт-фарадных характеристик р+-п структур, полученных методом жидкофазной эпитаксии на основе соединения InxGa1–xAsySb1–y при значениях х = 0,18 и у = 0,17. Определены значения удельной барьерной емкости, которые для нулевого смещения имели значения от 450 до 800 пФ/мм2. Ширина области объемного заряда изменялась в пределах от 0,1 до 0,5 мкм при подаче внешнего смещения на р-п переход от 0 до 1 В. Концентрация основных носителей заряда в базовой области р-п перехода лежала в диапазоне от 71015 см–3 до 31016 см–3. Произведена оценка инерционности фотодиода, которая составила 0,3 нс.
Библиогр. 3 назв. Ил. 2.

Загрузить (457 КБ)