Вестник НовГУ

Вестник НовГУ > 2013 > №73 Т.2 > Иванов С.Н., Бичурин М.И., Семенов Г.А. Технология ИЖГ-резонаторов для магнитоэлектрических СВЧ-устройств

Иванов С.Н., Бичурин М.И., Семенов Г.А. Технология ИЖГ-резонаторов для магнитоэлектрических СВЧ-устройств

УДК 621.372
И в а н о в С. Н., Б и ч у р и н М. И., С е м е н о в Г. А. Технология ИЖГ-резонаторов для магнитоэлектрических СВЧ-устройств // Вестн. Новг. гос. ун-та. Сер.: Физико-математические науки. 2013. № 73. Т.2. С.97-100. Библиогр. 4 назв.

К л ю ч е в ы е с л о в а: ИЖГ-резонатор, жидкостное химическое травление, магнитоэлектрические СВЧ-устройства

Предложен метод формирования резонаторов для магнитоэлектрических СВЧ-устройств жидкостным химическим травлением толстых эпитаксиальных пленок Y3Fe5O12 толщиной 80 мкм в концентрированной (87%) ортофосфорной кислоте H3PO4. Величина ΔH вытравленных через маску SiO2/Ti/Pt образцов составила 2,6 и 4,4 Гс при касательном и нормальном направлении магнитного поля. Максимальная достигнутая скорость травления составила 2,7 мкм/мин.
-----------------------------------------------------------------------------
UDC 621.372
I v a n o v S. N., B i c h u r i n М. I., S e m y o n o v G. А. The technology of YIG-resonator forming for magnetoelectric microwave device // Vestnik NovSU. Issue: Physico-mathematical sciences. 2013. № 73. V.2. P.97-100. The reference list 4 items.

K e y w o r d s: YIG-resonator, wet chemical etching, magnetoelectric microwave devices

The method of resonators forming for magnetoelectric microwave devices by wet chemical etching of thick epitaxial films Y3Fe5O12 with a thickness of 80 μm in concentrated (87%) ortho-phosphoric acid H3PO4 is suggested. The value ΔH of samples etched through the SiO2/Ti/Pt mask is about 2,6 and 4,4 Gs at parallel and perpendicular direction of sample surface magnetic field. The maximum etching rate achieved was 2,7 μm/min.

Загрузить (540 КБ)