Вестник НовГУ

Вестник НовГУ > 2013 > №75 Т.1 > Окунев А.О., Верозубова Г.А., Стащенко В.А., Янг Ч. Применение поляризационно-оптического метода для исследования структурного совершенства монокристаллов ZnGeP2

Окунев А.О., Верозубова Г.А., Стащенко В.А., Янг Ч. Применение поляризационно-оптического метода для исследования структурного совершенства монокристаллов ZnGeP2

УДК 539.2:548.4:548.73
О к у н е в А. О., В е р о з у б о в а Г. А., С т а щ е н к о В. А., Я н г Ч. Применение поляризационно-оптического метода для исследования структурного совершенства монокристаллов ZnGeP2 // Вестн. Новг. гос. ун-та. Сер.: Технические науки. 2014. № 75. Т.1. С.120-124. Библиогр. 17 назв. Ил. 3.

К л ю ч е в ы е с л о в а: поляризационно-оптический метод, метод фотоупругости, двойное лучепреломление, контраст, монокристалл, полупроводник, дефект, дислокация, рентгеновская топография, эффект Бормана, топограмма

Поляризационно-оптический метод впервые применен для исследования дефектов в монокристаллах ZnGeP2. Показано, что этим методом можно исследовать пластины, вырезанные перпендикулярно оси роста слитков [001]. Выявлены изображения как полос роста, так и отдельных дислокаций в малоугловых границах. Проведено сопоставление рентгеновских и поляризационно-оптических топограмм, свидетельствующее о большой перспективности этого метода для экспресс-анализа структурного совершенства слитков и исследования распределения и типов дислокаций в них.
-----------------------------------------------------------------------------
UDC 539.2:548.4:548.73
O k u n e v А. О., V e r o z u b o v a G. А., S t a s h c h e n k o V. А., C h u n h u i Y a n g. Polarization-optical method using for studying the structural // Vestnik NovSU. Issue: Engineering sciences. 2014. № 75. V.1. P.120-124.The reference list 17 items, 3 fig.

K e y w o r d s: polarization-optical method, photoelastic method, double refraction, contrast, single crystal, semiconductor, defect, dislocation, X-ray topography, Borrmann effect, topogram

The polarization-optical method was applied to study defects in ZnGeP2 single crystals for the first time. It is shown that this method is suitable for investigating the plates, cut perpendicular to the growing axis of the ingots [001]. The images of both growth bands and individual dislocations were identified. The comparison of X-ray and birefringence topograms shows a great promise of this method for rapid analysis of the ingots structural perfection and for studying distribution and types of their dislocations.

Загрузить (4348 КБ)