Вестник НовГУ

Вестник НовГУ > 2013 > №75 Т.1 > Федоров Д.Г., Москалев Г.Я. Формирование ионно-легированных структур на основе GаN

Федоров Д.Г., Москалев Г.Я. Формирование ионно-легированных структур на основе GаN

УДК 621.382.323
Ф е д о р о в Д. Г., М о с к а л е в Г. Я. Формирование ионно-легированных структур на основе GаN // Вестн. Новг. гос. ун-та. Сер.: Технические науки. 2014. № 75. Т.1. С.132-134. Библиогр. 3 назв. Ил. 3.

К л ю ч е в ы е с л о в а: нитрид галлия, ионная имплантация, термический отжиг, атомно-силовая микроскопия

В работе исследованы ионно-легированные слои нитрида галлия. Методом вторичной ионной масс-спектрометрии получены распределения Si+ в GaN. Рассмотрено влияние постимплантационного отжига на качество поверхности полупроводника.
-----------------------------------------------------------------------------
UDC 621.382.323
F e d o r o v D. G., M o s k a l e v G. Y a. The formation of ion-doped structures on the base of GаN // Vestnik NovSU. Issue: Engineering sciences. 2014. № 75. V.1. P.132-134.The reference list 3 items, 3 fig.

K e y w o r d s: gallium nitride, ion implantation, thermal annealing, atomic force microscopic

This paper presents the research results on the ion-doped gallium nitride layers. The authors obtained some profiles of distribution of Si+ in GaN by means of secondary ion mass spectrometry. The influence of post-implantation annealing on the quality of the semiconductor surface is considered.

Загрузить (577 КБ)