Вестник НовГУ

Вестник НовГУ > 2014 > №80 > Попов С.А., Васильев И.С. Расчет параметров эквивалентной схемы IGB транзистора

Попов С.А., Васильев И.С. Расчет параметров эквивалентной схемы IGB транзистора

УДК 513.73
П о п о в С. А., В а с и л ь е в И. С. Расчет параметров эквивалентной схемы IGB транзистора // Вестн. Новг. гос. ун-та. Сер.: Физико-математические науки. 2014. № 80. С.33-36. Библиогр. 6 назв.

К л ю ч е в ы е с л о в а: IGB транзистор, оценивание параметров эквивалентной схемы, многооткликовая модель, последовательное планирование эксперимента

Предлагается метод оценивания параметров эквивалентной схемы IGB транзистора. Рассмотрен метод расчета статических параметров эквивалентной схемы с использованием многооткликовой модели. Приводится процедура последовательного планирования эксперимента, обеспечивающая заданную точность оценивания.
-----------------------------------------------------------------------------
UDC 513.73
P o p o v S. A., V a s i l' e v I. S. Estimation of equivalent-circuit parameters of IGB transistor // Vestnik NovSU. Issue: Physico-Mathematical Sciences. 2014. № 80. P.33-36. The reference list 6 items.

K e y w o r d s: IGB transistor, estimation of equivalent circuit parameters, multiresponse model, consistent design of experiments

The estimation technique for equivalent-circuit parameters of IGB transistor is offered. The calculation method for static parameters of equivalent circuit using multiresponse model is presented. The procedure of consistent design of experiments ensuring required accuracy of estimation is provided.

Загрузить (515 КБ)