Вестник НовГУ

Вестник НовГУ > 2014 > №81 > Абрамовский В.А., Абрамовская Н.В. Распределение примеси фосфора 31P в кристалле кремния 30Si по толщине образца при нейтронно-трансмутационном легировании

Абрамовский В.А., Абрамовская Н.В. Распределение примеси фосфора 31P в кристалле кремния 30Si по толщине образца при нейтронно-трансмутационном легировании

УДК 538.915
А б р а м о в с к и й В. А., А б р а м о в с к а я Н. В. Распределение примеси фосфора 31P в кристалле кремния 30Si по толщине образца при нейтронно-трансмутационном легировании // Вестн. Новг. гос. ун-та. Сер.: Технические науки. 2014. № 81. С.23-26. Библиогр. 7 назв.

К л ю ч е в ы е с л о в а: нейтрон, кремний, нейтрон-трансмутационное легирование, распределение примесей, протон

Изучается рассеяние тепловых, холодных и ультрахолодных нейтронов, падающих на плоскую грань кристалла кремния 30Si. Сечения рассеяния и захвата нейтронов ядром кремния при разных значениях кинетической энергии нейтрона вычисляются из экспериментальных данных в тепловой точке эВ. Используя эти сечения, с помощью программы монте-карловского моделирования изучается перерассеяние нейтронов на ядрах кремния в кристаллической решетке. Из-за эффекта перерассеяния распределение примеси фосфора 31P становится неоднородным. Оно имеет регулярный характер, падающий по толщине образца. Величина концентрации примеси 31P на данной толщине зависит от плотности потока и энергии падающих нейтронов. Подобный физический эффект дает возможность создавать новые полупроводниковые приборы с заданными характеристиками. Разработанная монте-карловская программа моделирования перерассеяний в кристалле также может быть применена к исследованию влияния перерассеяний на другие полупроводниковые материалы, такие как германий и карбид кремния. Она также может использоваться для изучении перерассеяния электронов и протонов на кристаллах.
-----------------------------------------------------------------------------
UDC 538.915
A b r a m o v s k i i V. A., A b r a m o v s k a i a N. V. Distribution of the 31P silicon impurity in a silicon 30Si crystal along the specimen width at neutron transmutation doping // Vestnik NovSU. Issue: Engineering sciences. 2014. № 81. P.23-26. The reference list 7 items.

K e y w o r d s: neutron, silicon, neutron transmutation doping, impurity distribution, proton

A scattering of thermal, cold and ultra-cold neutrons over the flat face of the silicon 30Si crystal is studied. Scattering cross sections and capture cross sections of neutrons by silicon nucleus are calculated from the experimental data in the thermal point eV. A re-scattering of neutrons on nuclei in the crystal lattice of silicon is studied by Monte Carlo simulation program using these cross sections. Phosphorus 31P distribution in the specimen becomes non-homogeneous because of the re-scattering effects. The inhomogenuity has a regular character along the specimen. <...>

Загрузить (448 КБ)