Вестник НовГУ

Вестник НовГУ > 2014 > №81 > Козловский Э.Ю., Селезнев Б.И. Измерения минимального коэффициента шума pHEMT транзисторов в сантиметровом диапазоне

Козловский Э.Ю., Селезнев Б.И. Измерения минимального коэффициента шума pHEMT транзисторов в сантиметровом диапазоне

УДК 621.382.323
К о з л о в с к и й Э. Ю., С е л е з н е в Б. И. Измерения минимального коэффициента шума pHEMT транзисторов в сантиметровом диапазоне // Вестн. Новг. гос. ун-та. Сер.: Технические науки. 2014. № 81. С.45-49. Библиогр. 5 назв.

К л ю ч е в ы е с л о в а: pHEMT, транзистор, коэффициент шума, четырехполюсник, согласование транзистора, методика измерений

Рассматриваются проблемы измерения коэффициента шума малошумящего pHEMT транзистора. Предложена методика определения минимального коэффициента шума. В качестве объекта измерений предлагается использовать четырехполюсник, в состав которого входят кристалл транзистора и цепи комплексного согласования на входе и выходе транзистора — модуль согласованного транзистора. Использование цепей согласования позволяет разрешить проблемы, обусловленные высоким КСВНвх активного элемента и устойчивостью четырехполюсника. Полученные результаты свидетельствуют о возможности исключения паразитных потерь, возникающих при измерении и получении уточненных значений коэффициента шума.
-----------------------------------------------------------------------------
UDC 621.382.323
K o z l o v s k i i E. I u., S e l e z n e v B. I. Measuring the minimum noise factor of pHEMT transistors in centimeter band // Vestnik NovSU. Issue: Engineering sciences. 2014. № 81. P.45-49. The reference list 5 items.

K e y w o r d s: pHEMT, transistor, noise factor, two-port circuit, transistor matching, measurement technique

The problems of measuring of the noise factor of low-noise pHEMT transistors are considered. A method for determining the minimum noise factor is proposed. The object of measurement is supposed to be the two-port circuit, which is composed of transistor chip and matching input and output circuits. The use of matching circuits allows one to overcome the problems caused by high VSWR of an active element and the stability factor of the two-port circuit. The results indicate the possibility of excluding parasitic losses and obtaining an improved value of noise factor.

Загрузить (1300 КБ)