Вестник НовГУ

Вестник НовГУ > 2014 > №81 > Гаврушко В.В., Ласткин В.А. Широкодиапазонный кремниевый фотодиод

Гаврушко В.В., Ласткин В.А. Широкодиапазонный кремниевый фотодиод

УДК 621.382.4
Г а в р у ш к о В. В., Л а с т к и н В. А. Широкодиапазонный кремниевый фотодиод // Вестн. Новг. гос. ун-та. Сер.: Технические науки. 2014. № 81. С.53-55. Библиогр. 4 назв.

К л ю ч е в ы е с л о в а: ионная имплантация, кремний, фотодиод, спектральная чувствительность, обратный ток, емкость

Приведены сведения о технологии получения и свойствах кремниевого фотоприемника, полученного мелкой имплантацией мышьяка на глубину 0,2 мкм. Произведено сравнение традиционного диффузионного фотодиода и фотодиода с мелким р-n переходом, которое продемонстрировало существенное расширение диапазона спектральной чувствительности у предлагаемого фотоприемника. Приведены электрические характеристики полученного фотодиода.
-----------------------------------------------------------------------------
UDC 621.382.4
G a v r u s h k o V. V., L a s t k i n V. A. Wide-range silicon photodiode // Vestnik NovSU. Issue: Engineering sciences. 2014. № 81. P.53-55. The reference list 4 items.

K e y w o r d s: ion implantation, silicon, photodiode, spectral response, inverse current, capacity

This article contains information about the technology and properties of silicon photodetector being obtained by the implantation of arsenic to a depth of 0.2 µm. We carried out the comparison of a standard diffusive photodiode and the new one having shallow p-n junction which demonstrated an increase in spectral response range of the new sensor. Some electrical characteristics of the photodetector are presented.

Загрузить (406 КБ)