Вестник НовГУ

Вестник НовГУ > 2015 > №3 (86), часть 2 > Верозубова Г.А., Окунев А.О., Стащенко В.А. Выращивание нелинейно-оптического материала ZnGeP2 и его дефектная структура

Верозубова Г.А., Окунев А.О., Стащенко В.А. Выращивание нелинейно-оптического материала ZnGeP2 и его дефектная структура

УДК 66.017/66.019
В е р о з у б о в а Г. А., О к у не в А. О., С т а щ е н к о В. А. Выращивание нелинейно-оптического материала ZnGeP2 и его дефектная структура // Вестн. Новг. гос. ун-та. Сер.: Физико-математические науки. 2015. № 3(86), часть 2. С.40–46. Библиогр. 15 назв.

К л ю ч е в ы е с л о в а: синтез, монокристалл, полупроводник, метод Бриджмена, рентгеновская топография, эффект Бормана, контраст, дефект, дислокация

Исследованы структурные дефекты в монокристаллах ZnGeP2 (ZGP), выращенных из расплава методом Бриджмена в вертикальном варианте. Прогресс в получении монокристаллов ZGP с достаточно совершенной структурой позволил зарегистрировать эффект Бормана и провести рентгеновскую просвечивающую топографию, основанную на этом эффекте. Типы дефектов определялись путем сравнения экспериментальных и теоретических топограмм. В «as-grown» ZGP монокристаллах найдены полосы роста, когерентные и полукогерентные частицы вторых фаз, дислокации различного типа, включения разных составов, в зависимости от местоположения образца в слитке. Плотность дислокаций уменьшается от начала слитка к его концу от Nd ~3,5×103 cм–2 до ~2,5×102 cм–2. Полуширина кривых качания составляет 18-34″. Замечено, что на периферийных участках кристалла уширение кривых качания значительно меньше, чем уширение в центральной части слитка. Это может быть объяснено вогнутым фронтом кристаллизации, за счет чего примеси оттесняются в центр кристалла. Высокое оптическое поглощение в области ~2 мкм, существующее во всех кристаллах ZGP, может быть значительно снижено путем термического отжига и облучением электронами.
-----------------------------------------------------------------------------
UDC 66.017/66.019
V e r o z u b o v a G. A., O k u n e v A. O., S t a s h c h e n k o V. A. Growing non-linear optic ZnGeP2. Defect structure // Vestnik NovSU. Issue: Physico-Mathematical Sciences. 2015. № 3(86), part 2. P.40–46. The reference list 15 items.

K e y w o r d s: synthesis, single crystal, semiconductor, Bridgman method, x-ray topography, Borrmann effect, contrast, defect,
dislocation

Structural defects in ZnGeP2 (ZGP) single crystals grown by VB method were studied. Some progress in obtaining ZGP with perfect structure allowed us to register the Borrmann effect and perform x-ray topography. To obtain the compound from elements, twotemperature method was applied. Various dislocations, microdefects, growth striae, inclusions were found in as-grown ZnGeP2. Inclusions in onset and end of ingot have different composition: in the onset they lie on ZGP-GeP2 cut, in the end of ingot the inclusions were located near ZnP2-ZnGeP2 cut. According the data obtained, the middle part of the ingots does not <...>

Загрузить (3891 КБ)