Вестник НовГУ > 2016 > 7 (98) > Гудков Г.В., Желаннов А.В., Ионов А.С., Петров А.В., Федоров Д.Г. Измерительный комплекс характеристик микроструктур на пластине
УДК 621.3.089.2: 621.317.35
Г у д к о в Г. В., Ж е л а н н о в А. В., И о н о в А. С., П е т р о в А. В., Ф е д о р о в Д. Г. Измерительный комплекс характеристик микроструктур на пластине // Вестн. Новг. гос. ун-та. Сер.: Технические науки. 2016. № 7 (98). С.12–16. Библиогр. 4 назв.
К л ю ч е в ы е с л о в а: зондовая станция, система для измерения характеристик полупроводниковых приборов, микроструктура, нитрид галлия, диод Шоттки, вольтамперная характеристика, вольт-фарадная характеристика, импульсные измерения
Рассматриваются вопросы совместного использования зондовой станции и системы для измерения характеристик микроструктур на пластине. Основной целью данной работы являлась разработка методики измерений вольтамперных характеристик вертикальных структур диодов Шоттки на нитриде галлия в диапазоне больших прямых токов (сотни мА). Решены проблемы компенсации паразитных сопротивлений измерительной схемы, а также разогрева зондов и места контакта протекающим током при повышенной температуре пластины. Скорректирована стандартная методика измерений вольт-фарадных характеристик вышеуказанных структур. Решена задача компенсации паразитной емкости держателя пластин. В результате разработана методика импульсных измерений прямых ветвей вольтамперных характеристик вертикальных структур с использованием карты генератора импульсов, входящей в состав системы для измерения характеристик микроструктур на пластине, усовершенствована методика измерений вольт-фарадных характеристик с учетом геометрии структур. Приведены результаты измерений, выполненных по этим методикам, при различных температурах пластины.
-----------------------------------------------------------------------------
UDC 621.3.089.2: 621.317.35
G u d k o v G. V., Z h e l a n n o v A. V., I o n o v A. S., P e t r o v A. V., F e d o r o v D. G. Measuring komplex for characterization of microstructures on wafer // Vestnik NovSU. Issue: Engineering Sciences. 2016. № 7 (98). P.12–16. The reference list 4 items.
K e y w o r d s: probe station, semiconductor characterization system, microstructure, gallium nitride, Shottky diode, voltagecurrent characteristic, C-V characteristic, pulse measurements
The article considers issues of joint use of the probe station and semiconductor characterization system. The main purpose of the work is development of measurement techniques of current-voltage characteristics of vertical microstructure of Shottky diode on gallium nitride in range of large forward currents. Following problems were solved: compensation of parasitic resistances of the measuring circuit; reduction of heating of probe in contact point because of current flow, mainly at elevated temperature of wafer; <...>