Вестник НовГУ

Вестник НовГУ > 2016 > 7 (98) > Гудков Г.В., Желаннов А.В., Ионов А.С., Петров А.В., Федоров Д.Г. Измерительный комплекс характеристик микроструктур на пластине

Гудков Г.В., Желаннов А.В., Ионов А.С., Петров А.В., Федоров Д.Г. Измерительный комплекс характеристик микроструктур на пластине

УДК 621.3.089.2: 621.317.35
Г у д к о в Г. В., Ж е л а н н о в А. В., И о н о в А. С., П е т р о в А. В., Ф е д о р о в Д. Г. Измерительный комплекс характеристик микроструктур на пластине // Вестн. Новг. гос. ун-та. Сер.: Технические науки. 2016. № 7 (98). С.12–16. Библиогр. 4 назв.

К л ю ч е в ы е с л о в а: зондовая станция, система для измерения характеристик полупроводниковых приборов, микроструктура, нитрид галлия, диод Шоттки, вольтамперная характеристика, вольт-фарадная характеристика, импульсные измерения

Рассматриваются вопросы совместного использования зондовой станции и системы для измерения характеристик микроструктур на пластине. Основной целью данной работы являлась разработка методики измерений вольтамперных характеристик вертикальных структур диодов Шоттки на нитриде галлия в диапазоне больших прямых токов (сотни мА). Решены проблемы компенсации паразитных сопротивлений измерительной схемы, а также разогрева зондов и места контакта протекающим током при повышенной температуре пластины. Скорректирована стандартная методика измерений вольт-фарадных характеристик вышеуказанных структур. Решена задача компенсации паразитной емкости держателя пластин. В результате разработана методика импульсных измерений прямых ветвей вольтамперных характеристик вертикальных структур с использованием карты генератора импульсов, входящей в состав системы для измерения характеристик микроструктур на пластине, усовершенствована методика измерений вольт-фарадных характеристик с учетом геометрии структур. Приведены результаты измерений, выполненных по этим методикам, при различных температурах пластины.
-----------------------------------------------------------------------------
UDC 621.3.089.2: 621.317.35
G u d k o v G. V., Z h e l a n n o v A. V., I o n o v A. S., P e t r o v A. V., F e d o r o v D. G. Measuring komplex for characterization of microstructures on wafer // Vestnik NovSU. Issue: Engineering Sciences. 2016. № 7 (98). P.12–16. The reference list 4 items.

K e y w o r d s: probe station, semiconductor characterization system, microstructure, gallium nitride, Shottky diode, voltagecurrent characteristic, C-V characteristic, pulse measurements

The article considers issues of joint use of the probe station and semiconductor characterization system. The main purpose of the work is development of measurement techniques of current-voltage characteristics of vertical microstructure of Shottky diode on gallium nitride in range of large forward currents. Following problems were solved: compensation of parasitic resistances of the measuring circuit; reduction of heating of probe in contact point because of current flow, mainly at elevated temperature of wafer; <...>

Загрузить (1868 КБ)