Вестник НовГУ

Вестник НовГУ > 2016 > 7 (98) > Окунев А.О., Верозубова Г.А., Стащенко В.А., Грибенюков А.И., Колесников А.В. Дислокации, полосы роста и включения в ристаллах ZnGeP2

Окунев А.О., Верозубова Г.А., Стащенко В.А., Грибенюков А.И., Колесников А.В. Дислокации, полосы роста и включения в ристаллах ZnGeP2

УДК 66.017/66.019
О к у н е в А. О., В е р о з у б о в а Г. А., С т а щ е н к о В. А., Г р и б е н ю к о в А. И., К о л е с н и к о в А. В. Дислокации, полосы роста и включения в ристаллах ZnGeP2 // Вестн. Новг. гос. ун-та. Сер.: Технические науки. 2016. № 7 (98). С.44–51. Библиогр. 15 назв.

К л ю ч е в ы е с л о в а: ZnGeP2, нелинейно-оптические материалы, рентгеновская топография, эффект Бормана, контраст, монокристалл, полупроводник, дефект, дислокация, полосы роста

Проведено сравнение фактической структуры нелинейно-оптических кристаллов ZnGeP2, выращенных в Харбинском политехническом университете (HIT), КНР, и Институте мониторинга климатических и экологических систем СО РАН (ИМКЭС СО РАН), Томск, Россия. Использовались рентгеновская топография на основе эффекта Бормана, метод кривых качания и оптическая просвечивающая микроскопия. Основное внимание уделялось дислокациям, полосам роста и включениям. Установлено, что кристаллы, выращенные в HIT, имеют большую плотность дислокаций из-за их высокой плотности в рядах. Дислокации в кристаллах HIT декорированы избыточными компонентами, в российских кристаллах декорирования дислокаций не наблюдается, но могут образовываться включения типа solute trails, ассоциированные с дислокациями. Для ранних кристаллов, выращенных в HIT, были характерны очень широкие полосы роста, до 3 мм шириной. <...>
-----------------------------------------------------------------------------
UDC 66.017/66.019
O k u n e v A. O., V e r o z u b o v a G. A., S t a s h c h e n k o V. A., G r i b e n y u k o v A. I., K o l e s n i k o v A. V. Dislocations, growth striae, and inclusions in ZnGeP2 single crystals // Vestnik NovSU. Issue: Engineering Sciences. 2016. № 7 (98). P.44–51. The reference list 15 items.

K e y w o r d s: ZnGeP2, nonlinear optical materials, X-ray topography, Borrmann effect, contrast, single crystal, semiconductor, defect, dislocation, growth striae

Some structure defects were studied in ZnGeP2 single crystals, grown by VB seeded method in China (Harbin Institute of Technology, Harbin) and Russia (Institute of Monitoring of Climatic and Ecological Systems SB RAS, Tomsk), by X-ray topography based on Borrmann effect, obtaining rocking curves and optical transmission microscopy. The main attention was given to dislocations, growth striae, and precipitates of second phases. From the higher density of dislocations in rows in Chinese crystals the average dislocation density Nd=4×103 cm–2 which is still higher than in Russian crystals Nd~102 cm-2. Dislocations in Chinese crystals are decorated by excess components. There are no decorations of dislocations in Russian crystals but there are solute trails inclusions associated with dislocations. <...>

Загрузить (22477 КБ)