Вестник НовГУ

Вестник НовГУ > 2017 > 5 (103) > Селезнев Б.И., Федоров Д.Г. ИК-спектроскопия пленок диоксида кремния, полученных низкотемпературными методами

Селезнев Б.И., Федоров Д.Г. ИК-спектроскопия пленок диоксида кремния, полученных низкотемпературными методами

УДК 621.382:539.23
С е л е з н е в Б. И., Ф е д о р о в Д. Г. ИК-спектроскопия пленок диоксида кремния, полученных низкотемпературными методами // Вестн. Новг. гос. ун-та: Материалы Седьмой Международной конференции «Химическая термодинамика и кинетика» (спецвыпуск). 2017. № 5 (103). С.114–118. Библиогр. 11 назв.

К л ю ч е в ы е с л о в а: диоксид кремния, структура, влагопроницаемость, ИК-спектроскопия, ионная имплантация, лазерное облучение, фотонный отжиг

Исследованы структура и состав низкотемпературных пленок диоксида кремния при воздействии различных технологических факторов: ионной имплантации, лазерного облучения и фотонного отжига. Пленки диоксида кремния были получены окислением силана кислородом, плазмохимическим методом, реактивным катодным распылением, пиролизом тетраэтоксисилана. В качестве подложек использовались германий, кремний и арсенид галлия. Структура и состав диэлектрических пленок анализировались методами ИК-спектроскопии пропускания и спектроскопии многократного нарушенного полного внутреннего отражения.
-----------------------------------------------------------------------------
UDC 621.382:539.23
S e l e z n e v B. I., F e d o r o v D. G. Infrared spectroscopy of silicon dioxide films obtained by low-temperature methoods // Vestnik NovSU. Issue: Engineering Sciences. 2017. № 5 (103). P.114–118. The reference list 11 items.

K e y w o r d s: silicon dioxide, structure, moisture permeability, infrared spectroscopy, ion implantation, laser irradiation, photon Annealing

This paper presents the study of the structure and composition of low-temperature silicon dioxide films under the influence of various tecnolological factors: ion implantation, laser irradiation, and photonic annealing. Silicon dioxide films have been obtained by monosilane oxidation with oxidgen, plasma-enhanced chemical vapor deposition, reactive catode sputtering, and tetraetoxysilane pyrolesis. Germanium, silicon, and gallium arsenide were used as substrates. Structure and composition of dielectric films were analiezed by the methods of infrared transmission spectroscopy and frustrated total internal reflection spectroscopy.

Загрузить (976 КБ)