Вестник НовГУ > 2008 > № 46 > Букашев Ф.И., Фомин О.Г., Байбузов А.В., Смирнов А.Ю. Моделирование биполярного транзистора со статической индукцией
УДК 621.382.3, 004.942
Б у к а ш е в Ф. И., Ф о м и н О. Г., Б а й б у з о в А. В., С м и р н о в А. Ю. Моделирование биполярного транзистора со статической индукцией // Вестн. Новг. гос. ун-та. Сер.: Техн. науки. 2008. № 46, стр. 13-16
Рассмотрено моделирование биполярных транзисторов со статической индукцией (БСИТ) в аспекте их использования в схемотехнических системах автоматизированного проектирования на основе SPICE. Проанализированы известные модели биполярных транзисторов и полевых транзисторов с управляющим p-n переходом, оценена степень их пригодности для описания характеристик БСИТ. Определено, что из существующих моделей наиболее пригодной для моделирования БСИТ является модель Гумме-ля—Пуна. Представлены результаты моделирования БСИТ КТ6127В и биполярного транзистора КТ810Б, проведено сравнение полученных описаний.
Библиогр. 11 назв. Ил. 2.