Вестник НовГУ

Вестник НовГУ > 2018 > 1 (107) Технические науки > Гаврушко В.В., Ионов А.С., Кадриев О.Р., Ласткин В.А. О токовой чувствительности дифференциальных фотоприемников на основе кремния

Гаврушко В.В., Ионов А.С., Кадриев О.Р., Ласткин В.А. О токовой чувствительности дифференциальных фотоприемников на основе кремния

УДК 621.382.4
Г а в р у ш к о В. В., И о н о в А. С., К а д р и е в О. Р., Л а с т к и н В. А. О токовой чувствительности дифференциальных фотоприемников на основе кремния // Вестн. Новг. гос. ун-та. Сер.: Технические науки. 2018. № 1 (107). С.4–7. Библиогр. 10 назв.

К л ю ч е в ы е с л о в а: дифференциальный фотоприемник, кремний, длина волны, токовая чувствительность, размеры фотоприемника

Приводятся результаты исследования токовой чувствительности дифференциальных фотоприемников на основе кремния. Фотоприемники имели ярко выраженную коротковолновую спектральную характеристику с максимумом в ультрафиолетовой области. При изменении размеров приемной площадки от 6 до 24 мм2 монохроматическая токовая чувствительность для всех фотоприемников при λmax = 0,36 мкм имела близкое значение около 0,06 А/Вт. Анализ особенностей структуры дифференциальных фотоприемников показал, что полученные значения Si близки к предельно достижимым.
-----------------------------------------------------------------------------
UDC 621.382.4
G a v r u s h k o V. V., I o n o v A. C., K a d r i e v O. R., L a s t k i n V. A. On current sensitivity of differential photo receivers based on silicon // Vestnik NovSU. Issue: Engineering Sciences. 2018. № 1 (107). P.4–7. The reference list 10 items.

K e y w o r d s: differential photodetector, silicon, wavelength, current sensitivity, photodetector dimensions

This paper presents the research results on current sensitivity of differential photodetectors based on silicon. The photodetectors had pronounced shortwave spectral characteristic with a maximum in the ultraviolet region. When resizing the receiving area from 6 to 24 mm2, monochromatic current sensitivity for all photodetectors with λmax = 0.36 μm had similar values about 0.06 A/W. Analysis of the structure of differential photodetectors revealed that the obtained values of Si are close to the maximum achievable ones.

Загрузить (479 КБ)