Вестник НовГУ

Вестник НовГУ > 2020 > №2(118) Технические науки > Сахаров Ю.В. Структура и электрофизические свойства пористых оксидных диэлектриков, модифицированных углеродом

Сахаров Ю.В. Структура и электрофизические свойства пористых оксидных диэлектриков, модифицированных углеродом

УДК 621.384.5, 537.533
Сахаров Ю.В. Структура и электрофизические свойства пористых оксидных диэлектриков, модифицированных углеродом // Вестн. Новг. гос. ун-та. Сер.: Технические науки. 2020. №2(118). С.50-55. Библиогр. 15 назв.

К л ю ч е в ы е с л о в а: самоорганизация, мезапористые тонкие пленки, диоксид кремния, пентаоксид тантала, электрофизические свойства, магнетронное распыление, углерод

Предложен физический метод получения пористых пленок диоксида кремния (SiO2) и пентаоксида тантала (Ta2O5) в вакуумных условиях. Исследованы структура и свойства пористых пленок, полученных в результате самоорганизации при магнетронном распылении составной мишени. Установлены корреляции количества и размера пор, структуры и свойств пористых пленок. Показано, что процесс самоорганизации, приводящий к формированию пространственно распределенных пор, изменяет электрофизические свойства диэлектрических пленок и расширяет их функциональное назначение. Выявлено наличие общих тенденций в изменениях электрофизических свойств и структуры поверхности пленок SiO2 и Ta2O5 при введении в них углерода, что позволяет предполагать возможность аналогичных изменений и в других оксидных диэлектриках, формируемых в плазме тлеющего разряда. Установлено, что наличие развитой пористой структуры способствует повышению селективной адсорбционной способности исследуемых диэлектриков.


UDC 621.384.5, 537.533
Sakharov Yu.V. Structure and electrophysical properties of porous oxide dielectrics modified by carbon // Vestnik NovSU. Issue: Engineering Sciences. 2020. №2(118). P.50-55. The reference list 15 items.

K e y w o r d s: self-organization, mesoporous thin films, silicon dioxide, tantalum pentoxide, electrophysical properties, magnetron sputtering, carbon

A physical method of receiving porous oxide films in vacuum conditions is brought forward in this work. The structure and properties of porous films received as a result of self-organization at magnetron spattering of a compound target are researched in it. Correlations of the quantity and size of pores, the structure and properties of porous films are determined, as well. The self-organization process proves to form spatially spattered pores, to change electrophysical properties of dielectric films and it enlarges their functions. The presence of general trends in changes in the electrophysical properties and structure surface of thin films SiO2 and Ta2O5 upon the introduction of carbon into them was revealed. This suggests the possibility of similar changes in other oxide dielectrics formed in a glow discharge plasma. It is established that the presence of a developed porous structure enhances the selective adsorption ability of the studied dielectrics.
DOI: https://doi.org/10.34680/2076-8052.2020.2(118).50-55

Загрузить (2803 КБ)