Вестник НовГУ

Вестник НовГУ > 2020 > №5(121) Технические науки > Леонтьев В.С., Кузьмин Е.В., Петров Р.В., Татаренко А.С., Киселев В.А. Исследование влияния толщины пьезополупроводниковой структуры Метглас/GaAs/Метглас на величину магнитоэлектрического эффекта

Леонтьев В.С., Кузьмин Е.В., Петров Р.В., Татаренко А.С., Киселев В.А. Исследование влияния толщины пьезополупроводниковой структуры Метглас/GaAs/Метглас на величину магнитоэлектрического эффекта

УДК 537.9
Леонтьев В.С., Кузьмин Е.В., Петров Р.В., Татаренко А.С., Киселев В.А. Исследование влияния толщины пьезополупроводниковой структуры Метглас/GaAs/Метглас на величину магнитоэлектрического эффекта // Вестник НовГУ. Сер.: Технические науки. 2020. №5(121). С.21-24.

Ключевые слова: магнитоэлектрический эффект, магнитоэлектрическая структура, пьезополупроводниковая структура

Представлены результаты исследований магнитоэлектрических композитных структур на основе полупроводниковых материалов GaAs. Экспериментально были исследованы следующие магнитоэлектрические структуры: Метглас/GaAs/Метглас с размерами 20×5 мм и различными толщинами — 0,6 мм; 0,5 мм; 0,4 мм; 0,3 мм; 0,2 мм. Все измерения проводились по отработанным ранее методикам на измерительном стенде. При обсуждении полученных экспериментальных результатов также учитывается политип пластин, направление кристаллографических осей, сопротивление. Приводится сравнение полученных выходных характеристик. При постоянном поле подмагничивания 30 Э величина магнитоэлектрического коэффициента в структуре Метглас/GaAs/Метглас достигала значения αМЕ = 25,2 В/(см·Э), на частоте электромеханического резонанса fрез = 478 кГц. В заключительной части статьи идет обсуждение перспектив возможного практического применения данных магнитоэлектрических структур.


UDC 537.9
Leontiev V.S., Kuzmin E.V., Petrov R.V., Tatarenko A.S., Kisilev V.A. Research of the influence of the thickness of the Metglas/GaAs/Metglas piezoelectric conductor structure on the magnetoelectric effect // Vestnik NovSU. Issue: Engineering Sciences. 2020. №5(121). P.21-24.

K e y w o r d s: magnetoelectric effect, magnetoelectric structure, piezo semiconductor structure

This article presents the results of studies of magnetoelectric composite structures based on GaAs semiconductor materials. The following magnetoelectric structures were experimentally studied: Metglas/GaAs/Metglas with dimensions 20x5 mm and various thicknesses of 0.6 mm; 0.5 mm; 0.4 mm; 0.3 mm; 0.2 mm. All measurements were carried out according to proven methods and measuring stands. The direction of the crystallographic axes, resistance. A comparison of the obtained output characteristics is given. With a constant magnetization field of 30 Oe, the magnitude of the magnetoelectric coefficient in Metglas/GaAs/Metglas reached αME = 25,2 V/(cm•Oe), with an electromechanical resonance frequency fres = 478 kHz. The final part of the article discusses the possible practical application of these magnetoelectric structures.
DOI: https://doi.org/10.34680/2076-8052.2020.5(121).21-24

Загрузить (904 КБ)