Вестник НовГУ

Вестник НовГУ > 2021 > №4(125) Технические науки > Гаврушко В.В., Ласткин В.А., Фирсова Т.А. Способ повышения порогового напряжения кремниевых ДМОП-транзисторов

Гаврушко В.В., Ласткин В.А., Фирсова Т.А. Способ повышения порогового напряжения кремниевых ДМОП-транзисторов

УДК 621.382.323
Гаврушко В.В., Ласткин В.А., Фирсова Т.А. Способ повышения порогового напряжения кремниевых ДМОП-транзисторов // Вестник НовГУ. Сер.: Технические науки. 2021. №4(125). С.15-18.

Ключевые слова: ДМОП-транзистор, индуцированный канал, пороговое напряжение, легирующая примесь, поликремниевый затвор

Исследовано влияние концентрации примеси в подложке и типа легирующей примеси поликремниевого затвора на пороговое напряжение кремниевых ДМОП-транзисторов с индуцированным n-каналом. Показано, что увеличение средней концентрации примеси в подложке на 50% позволило повысить пороговое напряжение транзистора более чем на 30%. Однако при этом наблюдался рост сопротивления канала транзистора, что повлекло за собой уменьшение тока стока примерно на 25%. Установлено влияние типа проводимости поликремниевого затвора на величину порогового напряжения транзистора. Показано, что замена фосфора на бор при легировании поликремниевого затвора позволяет увеличить пороговое напряжение примерно на 25%. При этом ток стока транзисторов не изменялся, что может представлять практический интерес при разработке помехозащищенных ключей на полевых транзисторах.


UDC 621.382.323
Gavrushko V.V., Lastkin V.A., Firsova T.A. Method for increasing the threshold voltage of silicon DMOS transistors // Vestnik NovSU. Issue: Engineering Sciences. 2021. №4(125). P.15-18.

K e y w o r d s: DMOS transistor, induced channel, threshold voltage, doping impurity, polysilicon gate

The effect of the impurity concentration in the substrate and the type of dopant in a polysilicon gate on the threshold voltage of silicon DMOS transistors with an induced n-channel has been investigated. It is shown that an increase in the average impurity concentration in the substrate by 50% makes it possible to increase the threshold voltage of the transistor by more than 30%. However, at the same time, an increase in the resistance of the transistor channel is observed, which entails a decrease in the drain current by about 25%. The influence of the conductivity type of the polysilicon gate on the threshold voltage of the transistor has been determined. It is shown that replacing phosphorus with boron when doping a polysilicon gate allows increasing the threshold voltage by about 25%. In this case, the drain current of the transistors does not change, which may be of practical interest in the development of noise-immune switches based on field-effect transistors.
DOI: https://doi.org/10.34680/2076-8052.2021.4(125).15-18

Загрузить (656 КБ)