Вестник НовГУ

Вестник НовГУ > 2021 > №4(125) Технические науки > Петров М.Н., Телина И.С. Синтез компактной модели интегрального резистора

Петров М.Н., Телина И.С. Синтез компактной модели интегрального резистора

УДК 622.382
Петров М.Н., Телина И.С. Синтез компактной модели интегрального резистора // Вестник НовГУ. Сер.: Технические науки. 2021. №4(125). С.52-56.

Ключевые слова: подсхема, интегральный резистор, макромодель, компактная модель, пинч-резистор

Рассмотрена методика формирования компактной (SPICE) модели интегрального резистора, изготовленного с помощью биполярной технологии на базовом слое транзистора. В отличие от дискретного аналога интегральный резистор характеризуется большим числом параметров, что связано с нелинейной температурной зависимостью его номинала и наличием паразитных элементов в виде барьерной емкости. Процесс формирования макромодели интегрального резистора предполагает экстракцию пяти параметров: линейного и квадратичного температурных коэффициентов и трех параметров, необходимых для описания барьерной емкости. На базе полученной модели выполнен расчет температурной и амплитудно-частотной характеристик интегрального резистора. Предложенная процедура синтеза модели интегрального резистора может быть использована для формирования макромоделей других типов интегральных резисторов: низкоомных, выполненных на эмиттерном слое, и высокоомных — пинч-резисторов.


UDC 622.382
Petrov М.N., Telina I.S. Development of compact model of an integral resistor // Vestnik NovSU. Issue: Engineering Sciences. 2021. №4(125). P.52-56.

K e y w o r d s: subcircuit, integral resistor, macromodel, compact model, pinch resistor

The article discusses a technique for forming a compact (SPICE) model of an integral resistor manufactured using bipolar technology on the base layer of a transistor. Unlike a discrete analog, an integral resistor is characterized by many parameters, which is associated with the nonlinear temperature dependence of its nominal value and the presence of parasitic elements in the form of a barrier capacitance. The process of forming a macromodel of an integrated resistor involves the extraction of five parameters: linear and quadratic temperature coefficients and three parameters necessary to describe the depletion layer capacitance. Based on the obtained model, the calculation of the temperature and amplitude-frequency characteristics of the integral resistor has been carried out. The proposed procedure for synthesizing the integral resistor model can be used to form macromodels of other types of integral resistors: low-resistance, formed on the emitter layer, and high-resistance — pinch resistors.
DOI: https://doi.org/10.34680/2076-8052.2021.4(125).52-56

Загрузить (578 КБ)