Вестник НовГУ

Вестник НовГУ > 2021 > №4(125) Технические науки > Федоров Д.Г., Боченков Г.М., Желаннов А.В., Селезнев Б.И. Применение ионной имплантации аргона для формирования межприборной изоляции в AlGaN/AlN/GaN HEMT-структурах

Федоров Д.Г., Боченков Г.М., Желаннов А.В., Селезнев Б.И. Применение ионной имплантации аргона для формирования межприборной изоляции в AlGaN/AlN/GaN HEMT-структурах

УДК 621.382.3
Федоров Д.Г., Боченков Г.М., Желаннов А.В., Селезнев Б.И. Применение ионной имплантации аргона для формирования межприборной изоляции в AlGaN/AlN/GaN HEMT-структурах // Вестник НовГУ. Сер.: Технические науки. 2021. №4(125). С.60-63.

Ключевые слова: ионная имплантация, гетероэпитаксиальная структура AlGaN/AlN/GaN, межприборная изоляция, меза-изоляция

Рассматривается технологический цикл формирования межприборной изоляции на гетероэпитаксиальной структуре AlGaN/AlN/GaN, выращенной на подложке кремния с применением технологии ионной имплантации и травления мезы. Проведен расчет профиля Ar++ в гетероэпитаксиальной структуре AlGaN/AlN/GaN, а также с помощью программы TRIM получено распределение дефектов в гетероэпитаксиальной структуре. Представлено распределение аргона в гетероэпитаксиальных слоях AlGaN/AlN/GaN после проведения ионной имплантации. Было определено, что для обеспечения надежной изоляции ионной имплантацией необходимо использовать дважды ионизированный аргон с энергией 125 кэВ. Проведены измерения сопротивления межприборной изоляции, сформированной методом ионной имплантации и травлением мезы. Получена зависимость сопротивления межприборной изоляции от дозы внедренной примеси аргона. Показана перспективность использования технологии ионной имплантации для создания межприборной изоляции на AlGaN/AlN/GaN.


UDC 621.382.3
Fedorov D.G., Bochenkov G.M., Zhelannov A.V., Seleznev B.I. Application of ionic implantation of argon for forming inter-device insulation in AlGaN/AlN/GaN HEMT-structures // Vestnik NovSU. Issue: Engineering Sciences. 2021. №4(125). P.60-63.

K e y w o r d s: ion implantation, heteroepitaxial AlGaN/AlN/GaN structure, inter-device insulation, mesa isolation

A technological cycle of the formation of inter-device insulation on a heteroepitaxial AlGaN/AlN/GaN structure grown on a silicon substrate using the technology of ion implantation and mesa etching is considered. The Ar++ profile in the AlGaN/AlN/GaN heteroepitaxial structure has been calculated, and the distribution of defects in the heteroepitaxial structure has been obtained using the TRIM program. The distribution of argon in heteroepitaxial layers of AlGaN/AlN/GaN after ion implantation is presented. It has been determined that to ensure reliable insulation by ion implantation, it is necessary to use double ionized argon with an energy of 125 keV. The resistance of the inter-device insulation formed by ion implantation and mesa etching has been measured. The dependence of the inter-device insulation resistance on the dose of the introduced argon impurity has been obtained. It is shown that the use of ion implantation technology is promising for creating inter-device insulation on AlGaN/AlN/GaN.
DOI: https://doi.org/10.34680/2076-8052.2021.4(125).60-63

Загрузить (1406 КБ)