Вестник НовГУ

Вестник НовГУ > 2022 > №3 (128) Технические науки > Петров М.Н. Разработка SPICE модели интегрального конденсатора

Петров М.Н. Разработка SPICE модели интегрального конденсатора

УДК 621.382
Петров М.Н. Разработка SPICE модели интегрального конденсатора // Вестник НовГУ. Сер.: Технические науки. 2022. №3(128). С.32–36.

Ключевые слова: подсхемы, интегральный конденсатор, макромодель, барьерная емкость, SPICE модель

Рассмотрена методика формирования компактной (SPICE) модели интегрального конденсатора, изготовленного с помощью биполярной технологии на основе барьерной емкости p-n перехода база — коллектор биполярного транзистора. В отличие от дискретного аналога интегральный конденсатор характеризуется большим числом параметров, что связано с наличием паразитных резистивных и емкостных компонентов. Поэтому процесс формирования макромодели интегрального конденсатора предполагает экстракцию пяти параметров: двух резисторов и трех параметров, необходимых для описания барьерной емкости. На базе синтезированной макромодели выполнен расчет ряда характеристик интегрального конденсатора. включая вольт-фарадную и частотную зависимость добротности. Предложенная методика синтеза компактной модели интегрального конденсатора быть использована для формирования макромоделей других типов интегральных конденсаторов с использованием барьерной емкости, а также МОП конденсаторов для динамической памяти и паразитных емкостей шин межсоединений интегральных схем.


UDC 621.382
Petrov М.N. Development of SPICE model of an integral capacitor // Vestnik NovSU. Issue: Engineering Sciences. 2022. №3(128). P.32–36.

K e y w o r d s: subcircuits, integral capacitor, macromodel, diffusion capacity, SPICE model

The article discusses a technique for forming a compact (SPICE) model of an integrated capacitor manufactured using bipolar technology based on the barrier capacitance of one of the junctions of a bipolar transistor. Unlike a discrete analog, an integral capacitor is characterized by a large number of parameters, which is associated with the presence of parasitic resistive and capacitive components. On the basis of the synthesized macromodel, a number of integrated capacitor characteristics were calculated, including capacitance-voltage and frequency dependences of the quality factor. The proposed procedure for synthesizing a compact model of an integrated capacitor can be used to form macromodels of other types of integrated capacitors based on a barrier capacitance, as well as MOS capacitors for dynamic memory and parasitic capacitances of integrated circuit interconnect buses.
DOI: https://doi.org/10.34680/2076-8052.2022.3(128).32-36

Загрузить (618 КБ)