Вестник НовГУ

Вестник НовГУ > 2022 > №3 (128) Технические науки > Ариас Е.А., Гаврушко В.В. Криогенный фотоприемник с изменяемой спектральной характеристикой

Ариас Е.А., Гаврушко В.В. Криогенный фотоприемник с изменяемой спектральной характеристикой

УДК 621.382.4
Ариас Е.А., Гаврушко В.В. Криогенный фотоприемник с изменяемой спектральной характеристикой // Вестник НовГУ. Сер.: Технические науки. 2022. №3(128). С.75–77.

Ключевые слова: фотоприемник, антимонид индия, спектральные характеристики, ключ

Приводится описание конструкции фотоприемника, содержащего два встречно включенных фотодиода. Один из них расположен на освещаемой, а второй — на тыльной стороне кристалла. В цепи первого фотодиода предложено использовать подключаемое дополнительное внешнее сопротивление. При отключенном сопротивлении фотоприемник обладал широкополосной спектральной характеристикой. Подключение внешнего сопротивления изменяло широкополосную характеристику на селективную. Подавление сигнала в коротковолновой области происходило за счет его компенсации встречно включенным напряжением, на объемном сопротивлении базовой области. На примере криогенного InSb фотоприемника показана высокая эффективность подавления коротковолнового излучения. В селективном режиме работы при замкнутом ключе наблюдалось ослабление коротковолнового сигнала почти в 103 раз по сравнению с широкополосным режимом при разомкнутом ключе.


UDC 621.382.4
Arias E.A., Gavrushko V.V. Cryogenic photodetector with variable spectral characteristics // Vestnik NovSU. Issue: Engineering Sciences. 2022. №3(128). P.75–77.

K e y w o r d s: photodetector, indium antimonide, spectral characteristics, key

A description is given of the design of a photodetector containing two back-to-back photodiodes. One of them is located on the illuminated side of the crystal, and the second one is on the back side. In the circuit of the first photodiode, it is proposed to use a connected additional external resistance. With the resistance turned off, the photodetector had a broadband spectral characteristic. The connection of an external resistance changed the broadband response to a selective one. Signal suppression in the short-wave region was due to its compensation by the back-to-back voltage across the bulk resistance of the base region. The high efficiency of suppression of short-wave radiation is shown by the example of a cryogenic InSb photodetector. In the selective mode of operation with a closed key, the short-wave signal was observed to be attenuated by almost 103 times compared to the broadband mode with an open key.
DOI: https://doi.org/10.34680/2076-8052.2022.3(128).75-77

Загрузить (413 КБ)