Вестник НовГУ

Вестник НовГУ > 2022 > №3 (128) Технические науки > Драгуть М.В., Селезнев Б.И. Интегральный СВЧ pHEMT-транзистор на основе гетероструктур GaAs X- и Ku-диапазонов

Драгуть М.В., Селезнев Б.И. Интегральный СВЧ pHEMT-транзистор на основе гетероструктур GaAs X- и Ku-диапазонов

УДК 621.382.323
Драгуть М.В., Селезнев Б.И. Интегральный СВЧ pHEMT-транзистор на основе гетероструктур GaAs X- и Ku-диапазонов // Вестник НовГУ. Сер.: Технические науки. 2022. №3(128). С.84–90.

Ключевые слова: монолитная интегральная схема, рНЕМТ-транзистор, арсенид галлия, гетероструктура, технология, параметры

Рассматривается технологический цикл изготовления активного элемента рНЕМТ-транзистора с длиной затвора 0,25 мкм в составе СВЧ монолитной интегральной схемы на арсениде галлия. Основной областью применения этой технологии является проектирование монолитных интегральных схем с рабочими частотами до Ku-диапазона (18 ГГц). Разработаны требования к уровню основных параметров интегрального рНЕМТ-транзистора. В качестве исходной гетероструктуры выбрана рНЕМТ-структура с двухсторонним наполнением канала электронами — DpHEMT-структура, обеспечивающая низкие значения коэффициента шума и высокий уровень удельной выходной СВЧ-мощности. Рассмотрены способы формирования металлизации Т-образного затвора, улучшающие адгезию наносимой в дальнейшем пассивирующей пленки SiO2. Проведен анализ конструкций подзатворных канавок СВЧ рНЕМТ-транзисторов. Методами ИК Фурье-спектроскопии исследована структура низкотемпературных плёнок SiO2, полученных химическим осаждением из газовой фазы. Для устранения дефицита по кислороду в пленках использовался фотонный отжиг. <…>


UDC 621.382.323
Dragut M.V., Seleznev B.I. Integrated microwave phemt transistor based on GaAs X and Ku band heterostructures // Vestnik NovSU. Issue: Engineering Sciences. 2022. №3(128). P.84–90.

K e y w o r d s: monolithic integrated circuit, pHEMT transistor, gallium arsenide, heterostructure, technology, parameters

The technological cycle of manufacturing an active element of a pHEMT transistor with a gate length of 0.25 μm as part of a microwave monolithic integrated circuit based on gallium arsenide is considered. The main area of application of this technology is the design of monolithic integration circuits with operating frequencies up to the Ku-band (18 GHz). The requirements for the level of the main parameters of the integrated pHEMT transistor have been developed. As the initial heterostructure, we chose a pHEMT structure with two-sided filling of the channel with electrons that is a DpHEMT structure providing low noise figure and a high level of specific output microwave power. The methods of forming the metallization of a T-shaped gate, which improve the adhesion of a passivating SiO2 film deposited later, have been considered. An analysis of the structures of the gate grooves of microwave pHEMT transistors has been carried out. The structure of low-temperature SiO2 films obtained by chemical vapor deposition has been studied by Fourier-transform infrared spectroscopy. Photon annealing was used to eliminate the oxygen deficiency in the films. <…>
DOI: https://doi.org/10.34680/2076-8052.2022.3(128).84-90

Загрузить (2010 КБ)