Вестник НовГУ

Вестник НовГУ > 2003 > № 23 > Дмитриев В.А., Штейнгарт А.П. Исследование эпитаксиальных структур арсенида галлия

Дмитриев В.А., Штейнгарт А.П. Исследование эпитаксиальных структур арсенида галлия

УДК 621.328.323
Д м и т р и е в В. А., Ш т е й н г а р т А. П. Исследование эпитаксиальных структур арсенида галлия // Вестн. Новг. гос. ун-та. Сер.: Техн. науки. 2003. № 23, стр. 4-7
Проведено исследование эпитаксиальных структур арсенида галлия, выращенных на полуизолирующей подложке, методом измерения поверхностной фото-ЭДС. Рассмотрены физические процессы, лежащие в основе метода. Выявлена корреляция между результатами измерения поверхностной фото-ЭДС эпитаксиальных структур и параметрами полевых транзисторов с барьером Шотки, выращенными на этих структурах.
Библиогр. 4 назв. Табл.1. Ил.3.

Загрузить (258 КБ)