Уменьшение времени обратного восстановления высокоскоростного диода с помощью диффузии платины

Reduction of the recovery time of a high-speed diode by diffusion of platinum

Описывается переключательный высокоскоростной кремниевый диод на основе p⁺-n-n⁺ структуры. Быстродействие диода увеличено за счет уменьшения времени жизни неосновных носителей заряда в базе методом диффузии платины с последующим резким охлаждением. Результатом оценки быстродействия этих диодов является время восстановления обратного сопротивления в симметричном режиме переключения тока с 10мА до -10мА. В результате получены температурные зависимости времени обратного восстановления, времени жизни носителей заряда в базе и токов утечки для полупроводникового диода при различных технологических режимах диффузии платины. При увеличении температуры диффузии платины от 950^оС до 1050^оС время обратного восстановления исходной структуры диода уменьшено в 10 раз. Времена жизни неосновных носителей заряда в базе диода были сокращены с 610 нс до 4—5 нс. 

Ключевые слова: высокоскоростной диод, время жизни неосновных носителей заряда, время обратного восстановления, диффузия платины

In this paper, a switching high-speed silicon diode based on the p + nn + structure was described. The speed of the diode was increased due to a decrease minority charge carriers lifetime in the base by diffusion of platinum with subsequent sharp cooling. The result of the evaluation of the speed of these diodes is the reverse recovery time in the symmetrical switching mode of current from 10mA to -10mA. As a result, the temperature dependencies of the reverse recovery time, carrier lifetime, and leakage currents were obtained for a semiconductor diode at different technological regimes of platinum diffusion. With an increase of temperature in the diffusion of platinum from 950 ° C to 1050 ° C, the reverse recovery time of the original diode structure was reduced by a factor of 10. The lifetimes of the minority charge carriers were reduced from 610.2 ns to 4-5 ns in the diode’s base.

Keywords: high-speed diode, lifetime of minority charge carriers, reverse recovery time, diffusion of platinum 

Article.PDF

←  →